IRG4PC40KD 数据表(PDF) - International Rectifier

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IRG4PC40KD 数据表 (PDF) - International Rectifier

IRG4PC40KD Datasheet PDF - International Rectifier


部件名	IRG4PC40KD

下载	IRG4PC40KD 下载

文件大小	182.17 Kbytes

页	10 Pages

制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)

IRG4PC40KD Datasheet (PDF)

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部件名	IRG4PC40KD

下载	IRG4PC40KD Click to download

文件大小	182.17 Kbytes

页	10 Pages

制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)

IRG4PC40KD 数据表 (HTML) - International Rectifier

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IRG4PC40KD 产品详情

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

Features
• Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
• Industry standard TO-247AC package

Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available
• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

类似零件编号 - IRG4PC40KD

制造商	部件名	数据表	功能描述
International Rectifier	IRG4PC40KD	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours
	IRG4PC40KDPBF	325Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4PC40KDPBF	326Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4PC40KDPBF	326Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

类似说明 - IRG4PC40KD

制造商	部件名	数据表	功能描述
International Rectifier	IRG4BC40K	156Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)
	IRG4PC40K	119Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)
	IRG4BC15UD-S	210Kb / 12P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)
	IRG4BC20FD-S	222Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
	IRG4BC20UDS	235Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
	IRG4BC30UD	234Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4BC10UD	184Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
	IRG4PC30KD	178Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
	IRG4BC15MD	256Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.88V, @Vge=15V, Ic=8.6A)
	IRG4BC20KD	199Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

关于 International Rectifier

国际整流器（IR）是一家美国公司，专门从事电力管理和电力控制半导体的设计和制造。
该公司成立于1947年，总部位于加利福尼亚州的El Segundo。
IR提供了广泛的产品，包括电力管理IC，Power MOSFET，IGBT和其他电力控制产品。
该公司的产品用于各种应用，例如计算，电信和工业自动化。
IR以其电力管理和控制技术方面的专业知识以及向客户提供高质量和可靠产品的能力而闻名。
2014年，IR被Infineon Technologies收购，Infineon Technologies是电力管理和控制产品以及其他半导体解决方案的领先提供商。
国际整流器品牌不再使用，但其技术和产品仍然是Infineon投资组合的一部分。

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