UPD48288236AF1-E18-DW1-A 数据表(PDF) - Renesas Technology Corp

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UPD48288236AF1-E18-DW1-A 数据表 (PDF) - Renesas Technology Corp

UPD48288236AF1-E18-DW1-A Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


部件名	UPD48288236AF1-E18-DW1-A

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页	54 Pages

制造商	RENESAS [Renesas Technology Corp]

网页	http://www.renesas.com

标志

功能描述	288M-BIT Low Latency DRAM

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制造商	RENESAS [Renesas Technology Corp]

网页	http://www.renesas.com

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功能描述	288M-BIT Low Latency DRAM

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类似零件编号 - UPD48288236AF1-E18-DW1-A

制造商	部件名	数据表	功能描述
Renesas Technology Corp	UPD48288236AFF-E18-DW1	1Mb / 53P	288M-BIT Low Laten cy DRAM Common I/O Oct 01, 2012
	UPD48288236AFF-E18-DW1-A	1Mb / 53P	288M-BIT Low Laten cy DRAM Common I/O Oct 01, 2012
	UPD48288236AFF-E24-DW1	1Mb / 53P	288M-BIT Low Laten cy DRAM Common I/O Oct 01, 2012
	UPD48288236AFF-E24-DW1-A	1Mb / 53P	288M-BIT Low Laten cy DRAM Common I/O Oct 01, 2012
	UPD48288236AFF-E25-DW1	1Mb / 53P	288M-BIT Low Laten cy DRAM Common I/O Oct 01, 2012

类似说明 - UPD48288236AF1-E18-DW1-A

制造商	部件名	数据表	功能描述
Renesas Technology Corp	UPD48288118AF1	1Mb / 52P	288M-BIT Low Latency DRAM
	UPD48288209-A	862Kb / 50P	288M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Feb 01, 2013
	UPD48288118-A	843Kb / 48P	288M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Feb 01, 2013
	UPD48576118F1	1Mb / 52P	576M-BIT Low Latency DRAM
	UPD48576209F1	1Mb / 54P	576M-BIT Low Latency DRAM
	UPD48288209A	1Mb / 53P	288M-BIT Low Laten cy DRAM Common I/O Oct 01, 2012
	UPD48288109A	1Mb / 52P	288M-BIT Low Laten cy DRAM Separate I/O Oct 01, 2012
	UPD48576209	1Mb / 53P	576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Oct 01, 2012
	UPD48576109	1Mb / 52P	576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O Oct 01, 2012
Elpida Memory	EDR2518ABSE	1Mb / 79P	288M bits Direct Rambus DRAM

关于 Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp是一家日本半导体公司，可为汽车，工业和消费者市场中的各种应用提供广泛的微控制器，芯片以及模拟和电源设备。
该公司于2010年通过NEC Electronics Corporation and Renesas Technology Corporation合并成立。
Renesas是世界上最大的微控制器供应商之一，并以其在物联网（IoT），人工智能（AI）和汽车电子产品等领域的高级技术开发方面的专业知识而闻名。
该公司在20多个国家 /地区开展业务，其产品用于广泛的应用。

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