IRFZ44N 数据表, PDF - Alldatasheet

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捷径	IRFZ44N(44) 被推存结果.
如同	IIRFZ44N(1) IRFZ44N(13) IRFZ44NL(1) IRFZ44NS(7) LIRFZ44N(1)
开始	IRFZ44N(20) IRFZ44NL(2) IRFZ44NP(4) IRFZ44NS(6)
结尾	IRFZ44N(4) UIRFZ44N(2)
包括	IRFZ44N(6)

制造商

IRFZ44N 数据表, PDF

搜索部分号码 : 如同&开始 "IRFZ44N" - 的资料共 : 34 ( 1/2 Page)

制造商	部件名	数据表	功能描述
NXP Semiconductors	IRFZ44N	64Kb/8P	N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor February 1999 Rev 1.000
Guangdong Youtai Semico...	IRFZ44N	867Kb/8P	60V N-Channel MOSFET
International Rectifier	IRFZ44N	100Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A)
TRANSYS Electronics Lim...	IRFZ44N	141Kb/1P	Power MOSFET
Suntac Electronic Corp.	IRFZ44N	150Kb/5P	N-CHANNEL Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRFZ44N	121Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Tiger Electronic Co.,Lt...	IRFZ44N	132Kb/1P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRFZ44N	76Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor
Kersemi Electronic Co.,...	IRFZ44N	700Kb/8P	Advanced Process Technology
First Components Intern...	IRFZ44N	154Kb/5P	55A 50V N CHANNEL POWER MOSFET
Thinki Semiconductor Co...	IRFZ44N	1Mb/6P	50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRFZ44N	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
International Rectifier	IRFZ44NL	151Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A)
	IRFZ44NLPBF	339Kb/11P	HEXFET짰Power MOSFET
	IRFZ44NLPBF	340Kb/11P	Advanced Process Technology
	IRFZ44NPBF	150Kb/8P	HEXFET-R Power MOSFET
	IRFZ44NPBF	231Kb/8P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
VBsemi Electronics Co.,...	IRFZ44NPBF	1,014Kb/7P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
International Rectifier	IRFZ44NPBF	231Kb/8P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
Inchange Semiconductor ...	IRFZ44NS	243Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

12

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IRFZ44N 销售商

销售商	部件名	制造商	功能描述	Price	Qty. BuyNow

的简要描述 IRFZ44N

IRFZ44N是一种流行的N通道功率MOSFET（金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化型磁场效应晶体管），尤其是用于高功率和切换应用。以下是IRFZ44N晶体管的一些关键特征和规格：

类型：N通道MOSFET。

它具有N通道，这意味着它将电子用作电荷载体进行传导。
最大排水电压（VDSS）：通常约55V。

这是可以在排水端和源端子之间施加的最大电压。
最大连续排水电流（ID）：通常在41a左右。

这是可以连续从漏极流到源的最大电流而不会损坏MOSFET。
最大脉冲排水电流（IDM）：通常在164a左右。

这是MOSFET可以在短脉冲或瞬态条件下处理的最大电流。
抗性（RDS（ON））：通常非常低，以毫升（MΩ）测量。

当完全打开MOSFET时，抗性表示漏极和源端子之间的电阻。较低的RD（ON）值表示电阻较小。
门阈值电压（VGS（TH））：通常约2-4V。

这是打开MOSFET所需的电压。这是MOSFET开始进行电压的栅极电压。
软件包：TO-220软件包通常可用IRFZ44N，该软件包广泛用于电源晶体管。

应用：IRFZ44N MOSFET通常用于高功率开关应用中，例如电动机控制，电源，LED驱动器以及需要高电流和电压处理功能的各种其他应用。

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