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IRFZ44N 数据表, PDF

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IRFZ44N 数据表, PDF [销售商]

销售商部件名 制造商
数据表
功能描述Buy Now
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Element14
IRFZ44NLPBF

part
INFINEON

MOSFET, N; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:...
IRFZ44NSPBF

part
INFINEON

MOSFET, N, 55V, 49A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain S...

IRFZ44N 销售商

销售商部件名制造商功能描述PriceQty.
BuyNow



的简要描述 IRFZ44N


IRFZ44N是一种流行的N通道功率MOSFET(金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化型磁场效应晶体管),尤其是用于高功率和切换应用。以下是IRFZ44N晶体管的一些关键特征和规格:

类型:N通道MOSFET。

它具有N通道,这意味着它将电子用作电荷载体进行传导。
最大排水电压(VDSS):通常约55V。

这是可以在排水端和源端子之间施加的最大电压。
最大连续排水电流(ID):通常在41a左右。

这是可以连续从漏极流到源的最大电流而不会损坏MOSFET。
最大脉冲排水电流(IDM):通常在164a左右。

这是MOSFET可以在短脉冲或瞬态条件下处理的最大电流。
抗性(RDS(ON)):通常非常低,以毫升(MΩ)测量。

当完全打开MOSFET时,抗性表示漏极和源端子之间的电阻。较低的RD(ON)值表示电阻较小。
门阈值电压(VGS(TH)):通常约2-4V。

这是打开MOSFET所需的电压。这是MOSFET开始进行电压的栅极电压。
软件包:TO-220软件包通常可用IRFZ44N,该软件包广泛用于电源晶体管。

应用:IRFZ44N MOSFET通常用于高功率开关应用中,例如电动机控制,电源,LED驱动器以及需要高电流和电压处理功能的各种其他应用。

相当于 IRFZ44N


IRFZ44N 是一款通常用于开关和电源应用的 N 沟道 MOSFET,其规格包括 55V 漏源电压 (Vds) 和高达 49A 的连续漏极电流 (Id)。如果您正在寻找替代品,请考虑基于类似或改进规格的以下选项:

直接替换:
IRFZ44:

相同的电压和电流额定值。
非“N”版本,但在大多数应用中其他方面相同。
IRLZ44N:

IRFZ44N 的逻辑级版本。
如果您使用低电压(例如来自微控制器的 5V)驱动栅极,则适合。
其他兼容的替代品:
IRF3205:

更高的电流容量:110A。
类似 Vds:55V。
较低的 Rds(on):开关应用的效率更高。
适合较高功率要求。
STP55NF06:

电压:60V。
编号:50A。
低 Rds(on):与 IRFZ44N 相当或更好。
IRLB3034:

电压:40V。
编号:195A。
超低 Rds(on):卓越的效率。
考虑您的应用是否有高电流需求并且工作电压低于 40V。
IRFZ48N:

电压:60V。
编号:64A。
对于类似应用,性能比 IRFZ44N 略有提高。

更换的主要考虑因素:
额定电压 (Vds):确保替代品能够承受电路的最大电压。
当前额定值 (Id):符合或超过您应用程序的当前要求。
Rds(on):较低的 Rds(on) 意味着更高的效率和更少的热量产生。
栅极驱动电压:确认更换是否需要逻辑电平或标准栅极电压。
封装类型:确保与您的 PCB 布局兼容(IRFZ44N 采用 TO-220 封装)。
对于大多数一般应用,IRF3205 或 STP55NF06 是出色的升级产品,而如果您需要逻辑级操作,IRLZ44N 则是理想的选择。更换前请务必验证您的电路要求。

*此信息仅供一般参考,对于因上述信息造成的任何损失或损害,我们概不负责。

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