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CS8312YN8 数据表 (PDF) - ON Semiconductor
CS8312YN8 Datasheet PDF - ON Semiconductor
部件名 CS8312YN8
下载  CS8312YN8 下载
文件大小   59.01 Kbytes
页   8 Pages
制造商  ONSEMI [ON Semiconductor]
网页  http://www.onsemi.com
标志 ONSEMI - ON Semiconductor
功能描述 IGBT Ignition Predriver

CS8312YN8 Datasheet (PDF)

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CS8312YN8 Datasheet PDF - ON Semiconductor

部件名 CS8312YN8
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页   8 Pages
制造商  ONSEMI [ON Semiconductor]
网页  http://www.onsemi.com
标志 ONSEMI - ON Semiconductor
功能描述 IGBT Ignition Predriver

CS8312YN8 数据表 (HTML) - ON Semiconductor


CS8312YN8 产品详情

The CS8312 is a bipolar microprocessor interface IC designed to drive an IGBT (or logic level MOSFETs) powering large inductive loads in harsh operating environments. The IC’s dynamic current limit function lets the microprocessor adjust the current limit threshold to the real time needs of the system.

Features
• µP Compatible Inputs
• Adjustable Current Limit Thresholds
• External Sense Resistor
• Flag Signal to Indicate Output Status




类似零件编号 - CS8312YN8

制造商部件名数据表功能描述
logo
Cherry Semiconductor Co...		 CS8312YN8 CHERRY-CS8312YN8 Datasheet
139Kb / 5P		 IGBT Ignition Predriver with Dynamic Current Regulation
Rev. 4/7/97
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类似说明 - CS8312YN8

制造商部件名数据表功能描述
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Cherry Semiconductor Co...		 CS8312 CHERRY-CS8312 Datasheet
139Kb / 5P		 IGBT Ignition Predriver with Dynamic Current Regulation
Rev. 4/7/97
logo
ON Semiconductor		 NGD8201N ONSEMI-NGD8201N Datasheet
110Kb / 7P		 Ignition IGBT
August, 2006 ??Rev. 7
NGB8202N ONSEMI-NGB8202N_06 Datasheet
144Kb / 7P		 Ignition IGBT
August, 2006 ??Rev. 5
NGD8201N ONSEMI-NGD8201N Datasheet
147Kb / 7P		 Ignition IGBT
August, 2006 ??Rev. 7
NGB8206NTF4G ONSEMI-NGB8206NTF4G Datasheet
129Kb / 9P		 Ignition IGBT
February, 2012 ??Rev. 9
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Rohm		 RGPR30BM40 ROHM-RGPR30BM40 Datasheet
719Kb / 11P		 400V 30A Ignition IGBT
RGPZ10BM40FH ROHM-RGPZ10BM40FH Datasheet
1Mb / 10P		 430V 20A Ignition IGBT
RGPZ10BM40 ROHM-RGPZ10BM40 Datasheet
1Mb / 9P		 430V 20A Ignition IGBT
logo
ON Semiconductor		 ISL9V3040X3ST-F085C ONSEMI-ISL9V3040X3ST-F085C Datasheet
3Mb / 9P		 EcoSPARK Ignition IGBT
August, 2019 ??Rev. 1
logo
Rohm		 RGPR20NL43HR ROHM-RGPR20NL43HR Datasheet
921Kb / 10P		 430V 20A Ignition IGBT
2019.07 - Rev.A
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关于 ON Semiconductor

“安森美半导体 家公开交易的公司，该公司设计，开发和生产各种半导体产品，用于各种应用，包括汽车，计算，消费品，工业和通信市场。
该公司成立于1999年，总部位于亚利桑那州凤凰城。
在半导体上，提供了广泛的电力管理，模拟和离散半导体的组合，包括电源MOSFET，二极管，整流器，电压调节器等。
该公司的产品旨在具有节能，可靠和成本效益，并用于多种应用，包括便携式电子产品，工业自动化系统，可再生能源系统和汽车电子产品。
在半导体上，致力于创新和客户满意度，并致力于提供最佳的半导体解决方案，以满足客户的需求。”

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。




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