MJ2501 数据表(PDF)

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MJ2501 数据表 (PDF) - ON Semiconductor


部件名	MJ2501

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制造商	ONSEMI [ON Semiconductor]

网页	http://www.onsemi.com

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功能描述	DARLINGTON POWER TRANSISTOR COMPLEMENTARY SILICON

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制造商	ONSEMI [ON Semiconductor]

网页	http://www.onsemi.com

标志

功能描述	DARLINGTON POWER TRANSISTOR COMPLEMENTARY SILICON

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MJ2501 产品详情

Medium-Power Complementary Silicon Transistors

. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.

• High DC Current Gain —
                   hFE = 4000 (Typ) @ IC = 5.0 Adc
• Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Shunt Resistors

类似零件编号 - MJ2501

制造商	部件名	数据表	功能描述
STMicroelectronics	MJ2501	70Kb / 4P	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Jun-1997
Central Semiconductor C...	MJ2501	54Kb / 1P	Power Transistors
List of Unclassifed Man...	MJ2501	485Kb / 4P	10 Ampere Darlington Power Transistors Complementary Silicon
STMicroelectronics	MJ2501	51Kb / 4P	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Sep-2003
Inchange Semiconductor ...	MJ2501	72Kb / 2P	isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor

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类似说明 - MJ2501

制造商	部件名	数据表	功能描述
Seme LAB	MJ11028	59Kb / 2P	COMPLEMENTARY DARLINGTON POWER TRANSISTOR
Central Semiconductor C...	CJD112	481Kb / 2P	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR
Seme LAB	2N6295	15Kb / 2P	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR
Central Semiconductor C...	CJD122-NPN	126Kb / 2P	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR
ON Semiconductor	MJD122	87Kb / 7P	Complementary Darlington Power Transistor December, 2005 ??Rev. 7
	MJD128	75Kb / 6P	Complementary Darlington Power Transistor March, 2007 ??Rev. 1
	MJD122	136Kb / 7P	Complementary Darlington Power Transistor March, 2011 ??Rev. 10
	MJD128T4G	185Kb / 6P	Complementary Darlington Power Transistor February, 2012 ??Rev. 5
	MJD122	106Kb / 8P	Complementary Darlington Power Transistor September, 2016 ??Rev. 15
	MJD128T4G	92Kb / 6P	Complementary Darlington Power Transistor January, 2016 ??Rev. 6

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关于 ON Semiconductor

“安森美半导体家公开交易的公司，该公司设计，开发和生产各种半导体产品，用于各种应用，包括汽车，计算，消费品，工业和通信市场。
该公司成立于1999年，总部位于亚利桑那州凤凰城。
在半导体上，提供了广泛的电力管理，模拟和离散半导体的组合，包括电源MOSFET，二极管，整流器，电压调节器等。
该公司的产品旨在具有节能，可靠和成本效益，并用于多种应用，包括便携式电子产品，工业自动化系统，可再生能源系统和汽车电子产品。
在半导体上，致力于创新和客户满意度，并致力于提供最佳的半导体解决方案，以满足客户的需求。”

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