IXSR40N60BD1 数据表(PDF)

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IXSR40N60BD1 数据表 (PDF) - IXYS Corporation

IXSR40N60BD1 Datasheet PDF - IXYS Corporation


部件名	IXSR40N60BD1

下载	IXSR40N60BD1 下载

文件大小	39.27 Kbytes

页	2 Pages

制造商	IXYS [IXYS Corporation]

网页	http://www.ixys.com

标志

功能描述	IGBT with Diode ISOPLUS 247 (Electrically Isolated Backside)

IXSR40N60BD1 Datasheet (PDF)

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部件名	IXSR40N60BD1

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文件大小	39.27 Kbytes

页	2 Pages

制造商	IXYS [IXYS Corporation]

网页	http://www.ixys.com

标志

功能描述	IGBT with Diode ISOPLUS 247 (Electrically Isolated Backside)

IXSR40N60BD1 数据表 (HTML) - IXYS Corporation

IXSR40N60BD1 Datasheet HTML 1Page - IXYS Corporation

IXSR40N60BD1 Datasheet HTML 2Page - IXYS Corporation

IXSR40N60BD1 产品详情

Short Circuit SOA Capability

Features
● DCB Isolated mounting tab
● Meets TO-247AD package Outline
● High current handling capability
● Latest generation HDMOSTM process
● MOS Gate turn-on
- drive simplicity

Applications
● Uninterruptible power supplies (UPS)
● Switched-mode and resonant-mode
power supplies
● AC motor speed control
● DC servo and robot drives
● DC choppers

Advantages
● Easy assembly
● High power density
● Very fast switching speeds for high
frequency applications

类似零件编号 - IXSR40N60BD1

制造商	部件名	数据表	功能描述
IXYS Corporation	IXSR40N60CD1	39Kb / 2P	IGBT with Diode ISOPLUS247

More results

类似说明 - IXSR40N60BD1

制造商	部件名	数据表	功能描述
IXYS Corporation	IXFC15N80Q	517Kb / 2P	HiPerFET ISOPLUS 220 MOSFET Q-Class Electrically Isolated Back Surface
	IXGR60N60U1	118Kb / 5P	LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface)
	IXSR35N120BD1	74Kb / 2P	IGBT with Diode ISOPLUS 247 (Electrically Isolated Backside)
	IXFR4N100Q	81Kb / 2P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Backside)
	IXFL34N100	117Kb / 2P	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS264(Electrically Isolated Backside)
	IXER60N120	268Kb / 4P	NPT3 IGBT in ISOPLUS 247
	IXGR16N170AH1	528Kb / 2P	High Voltage IGBT with Diode Electrically Isolated Tab
	IXGR39N60B	519Kb / 2P	HiPerFASTTM IGBT (Electrically Isolated Backside)
	IXGR40N60B	58Kb / 2P	HiPerFASTTM IGBT (Electrically Isolated Backside)
	IXGR50N60A2U1	150Kb / 6P	Low Saturation Voltage IGBT with Low Forward Drop Diode Electrically Isolated Mounting Tab

More results

关于 IXYS Corporation

IXYS Corporation是一家技术公司，专门研究电力半导体和集成电路（ICS）的设计，制造和销售。该公司成立于1983年，总部位于加利福尼亚州的米尔皮塔斯。 IXYS拥有全球影响力，在全球60多个国家 /地区拥有运营和客户。

IXYS提供了广泛的产品和解决方案，包括电力MOSFET，功率双极晶体管，晶闸管，二极管和ICS用于电源管理和控制应用。该公司的产品用于多种应用，包括可再生能源，工业，汽车和消费电子产品。

Ixys以其功率半导体技术方面的专业知识以及为客户提供高性能和成本效益的解决方案的能力。该公司致力于创新和研发，并积极参与电力半导体市场的新技术和解决方案的开发。 IXYS是电力半导体市场的公认领导者，并继续为其客户提供高质量的产品和服务。

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