BB505C 数据表(PDF)

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BB505C 数据表 (PDF) - Renesas Technology Corp

BB505C Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


部件名	BB505C

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制造商	RENESAS [Renesas Technology Corp]

网页	http://www.renesas.com

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功能描述	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

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制造商	RENESAS [Renesas Technology Corp]

网页	http://www.renesas.com

标志

功能描述	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

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BB505C 产品详情

• Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.

• Low noise; NF = 1.5 dB typ. at f = 900 MHz

• High gain; PG = 24 dB typ. at f = 900 MHz

• Withstanding to ESD; Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 190 V at C = 200 pF, Rs = 0 conditions.

• Provide mini mold packages; CMPAK-4 (SOT-343mod)

类似零件编号 - BB505C

制造商	部件名	数据表	功能描述
Siemens Semiconductor G...	BB505B	48Kb / 3P	Silicon Variable Capacitance Diodes
Siemens Semiconductor G...	BB505G	48Kb / 3P	Silicon Variable Capacitance Diodes
Renesas Technology Corp	BB505M	187Kb / 9P	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
Renesas Technology Corp	BB505MES	187Kb / 9P	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

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类似说明 - BB505C

制造商	部件名	数据表	功能描述
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	BB102C	62Kb / 11P	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
	BB102M	64Kb / 11P	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
	BB301C	46Kb / 10P	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
	BB301M	46Kb / 10P	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
	BB302C	58Kb / 11P	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
	BB302M	61Kb / 11P	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
	BB304C	67Kb / 12P	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
Renesas Technology Corp	BB505M	187Kb / 9P	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

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关于 Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp是一家日本半导体公司，可为汽车，工业和消费者市场中的各种应用提供广泛的微控制器，芯片以及模拟和电源设备。
该公司于2010年通过NEC Electronics Corporation and Renesas Technology Corporation合并成立。
Renesas是世界上最大的微控制器供应商之一，并以其在物联网（IoT），人工智能（AI）和汽车电子产品等领域的高级技术开发方面的专业知识而闻名。
该公司在20多个国家 /地区开展业务，其产品用于广泛的应用。

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