TF412 数据表(PDF)

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TF412 数据表 (PDF) - ON Semiconductor


部件名	TF412

下载	TF412 下载

文件大小	296.56 Kbytes

页	3 Pages

制造商	ONSEMI [ON Semiconductor]

网页	http://www.onsemi.com

标志

功能描述	N-Channel JFT 30V, 1.2 to 3.0mA, 5.0mS, SOT-883

TF412 Datasheet (PDF)

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部件名	TF412

下载	TF412 Click to download

文件大小	296.56 Kbytes

页	3 Pages

制造商	ONSEMI [ON Semiconductor]

网页	http://www.onsemi.com

标志

功能描述	N-Channel JFT 30V, 1.2 to 3.0mA, 5.0mS, SOT-883

TF412 数据表 (HTML) - ON Semiconductor

TF412 Datasheet HTML 1Page - ON Semiconductor

TF412 Datasheet HTML 2Page - ON Semiconductor

TF412 Datasheet HTML 3Page - ON Semiconductor

TF412 产品详情

Features
 Small IGSS : max 1.0nA (VGS= 20V, VDS=0V)
 Small Ciss : typ 4pF (VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz)
 Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products
 Halogen free compliance

Applications
 Low-Frequency general-purpose amplifier,
impedance conversion, infrared sensor applications

类似零件编号 - TF412

制造商	部件名	数据表	功能描述
VBsemi Electronics Co.,...	TF4126	1Mb / 7P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
ON Semiconductor	TF412S	130Kb / 4P	N-Channel JFET April, 2014
ON Semiconductor	TF412ST5G	130Kb / 4P	N-Channel JFET April, 2014

More results

类似说明 - TF412

制造商	部件名	数据表	功能描述
STMicroelectronics	STN1N20	45Kb / 6P	N - CHANNEL 200V - 1.2 ohm - 1A - SOT-223 POWER MOS TRANSISTOR Sep-1999
	STN4NE03	91Kb / 8P	N - CHANNEL 30V - 0.045ohm - 4A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET Aug-1998
	STN4NE03L	91Kb / 8P	N - CHANNEL 30V - 0.037ohm - 4A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET Aug-1998
	STN4NF03L	260Kb / 8P	N-CHANNEL 30V - 0.039ohm - 6.5A SOT-223 STripFET™ II POWER MOSFET Dec-2002
	STN4NF03L	228Kb / 12P	N-channel 30V - 0.039ohm - 6.5A - SOT-223 STripFET II Power MOSFET 09-Oct-2006
Shanghai Leiditech Elec...	LMW8726	908Kb / 4P	N-channel 30V, 86A, TO-252 Power MOSFET
Shanghai Leiditech Elec...	LMAK86N03	917Kb / 4P	N-channel 30V, 86A, TO-252 Power MOSFET
ON Semiconductor	TF414	287Kb / 3P	N-Channel JFET 40V, 50 to 130A, 0.11mS, SOT-883 January, 2014

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关于 ON Semiconductor

“安森美半导体家公开交易的公司，该公司设计，开发和生产各种半导体产品，用于各种应用，包括汽车，计算，消费品，工业和通信市场。
该公司成立于1999年，总部位于亚利桑那州凤凰城。
在半导体上，提供了广泛的电力管理，模拟和离散半导体的组合，包括电源MOSFET，二极管，整流器，电压调节器等。
该公司的产品旨在具有节能，可靠和成本效益，并用于多种应用，包括便携式电子产品，工业自动化系统，可再生能源系统和汽车电子产品。
在半导体上，致力于创新和客户满意度，并致力于提供最佳的半导体解决方案，以满足客户的需求。”

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