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NE321000 数据表 (PDF) - Renesas Technology Corp
NE321000 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
部件名 NE321000
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文件大小   215.03 Kbytes
页   14 Pages
制造商  RENESAS [Renesas Technology Corp]
网页  http://www.renesas.com
标志 RENESAS - Renesas Technology Corp
功能描述 HETERO JUNCTION FIELDEFFECT TRANSISTOR

NE321000 Datasheet (PDF)

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NE321000 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

部件名 NE321000
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页   14 Pages
制造商  RENESAS [Renesas Technology Corp]
网页  http://www.renesas.com
标志 RENESAS - Renesas Technology Corp
功能描述 HETERO JUNCTION FIELDEFFECT TRANSISTOR

NE321000 数据表 (HTML) - Renesas Technology Corp


NE321000 产品详情

DESCRIPTION
The NE321000 is Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its
excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems, industrial and
space applications.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 12 GHz
• Gate Length: Lg £ 0.20 mm
• Gate Width : Wg = 160 mm




类似零件编号 - NE321000

制造商部件名数据表功能描述
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NEC		 NE321000 NEC-NE321000 Datasheet
48Kb / 12P		 C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP
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California Eastern Labs		 NE321000 CEL-NE321000 Datasheet
135Kb / 6P		 ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET
NE321000 CEL-NE321000 Datasheet
141Kb / 6P		 ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET
NE321000 CEL-NE321000_01 Datasheet
135Kb / 6P		 ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET
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类似说明 - NE321000

制造商部件名数据表功能描述
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California Eastern Labs		 NE3512S02 CEL-NE3512S02 Datasheet
270Kb / 8P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE3514S02 CEL-NE3514S02_13 Datasheet
285Kb / 8P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE3515S02-A CEL-NE3515S02-A Datasheet
415Kb / 9P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
logo
Renesas Technology Corp		 NE3210S01 RENESAS-NE3210S01 Datasheet
197Kb / 18P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1999
NE32484A RENESAS-NE32484A Datasheet
195Kb / 14P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1991
NE32500 RENESAS-NE32500 Datasheet
199Kb / 10P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1996
NE32900 RENESAS-NE32900 Datasheet
181Kb / 10P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1997
NE34018 RENESAS-NE34018 Datasheet
250Kb / 18P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
2000
NE38018 RENESAS-NE38018 Datasheet
236Kb / 13P		 Hetero Junction Field Effect transistor
2003
NE21283A RENESAS-NE21283A Datasheet
718Kb / 12P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1990
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关于 Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp是一家日本半导体公司，可为汽车，工业和消费者市场中的各种应用提供广泛的微控制器，芯片以及模拟和电源设备。
该公司于2010年通过NEC Electronics Corporation and Renesas Technology Corporation合并成立。
Renesas是世界上最大的微控制器供应商之一，并以其在物联网（IoT），人工智能（AI）和汽车电子产品等领域的高级技术开发方面的专业知识而闻名。
该公司在20多个国家 /地区开展业务，其产品用于广泛的应用。

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。




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