FFSP2065B 数据表(PDF) - ON Semiconductor

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FFSP2065B 数据表 (PDF) - ON Semiconductor

FFSP2065B Datasheet PDF - ON Semiconductor


部件名	FFSP2065B

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文件大小	269.8 Kbytes

页	6 Pages

制造商	ONSEMI [ON Semiconductor]

网页	http://www.onsemi.com

标志

功能描述	Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, TO-220-2L

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部件名	FFSP2065B

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制造商	ONSEMI [ON Semiconductor]

网页	http://www.onsemi.com

标志

功能描述	Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, TO-220-2L

FFSP2065B 数据表 (HTML) - ON Semiconductor

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FFSP2065B 产品详情

Features
• Max Junction Temperature 175°C
• Avalanche Rated 94 mJ
• High Surge Current Capacity
• Positive Temperature Coefficient
• Ease of Paralleling
• No Reverse Recovery / No Forward Recovery
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant

Applications
• General Purpose
• SMPS, Solar Inverter, UPS
• Power Switching Circuit

类似零件编号 - FFSP2065B

制造商	部件名	数据表	功能描述
ON Semiconductor	FFSP2065A	294Kb / 6P	Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 20 A January, 2020 ??Rev. 2

类似说明 - FFSP2065B

制造商	部件名	数据表	功能描述
ON Semiconductor	FFSB0665B	334Kb / 6P	Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 6A, 650 V, D2, D2PAK-2L January, 2023 - Rev. 2
	FFSB0865B	335Kb / 6P	Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 8A, 650 V, D2, D2PAK-2L January, 2023 - Rev. 2
	FFSH20120A	332Kb / 6P	Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D1, TO-247-2L January, 2023 - Rev. 3
	NDSH10170A	304Kb / 6P	Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC,10 A, 1700 V, D1, TO-247-2L January, 2023 - Rev. 3
	FFSH15120A	367Kb / 6P	Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 15 A, 1200 V, D1, TO-247-2L January, 2023 - Rev. 3
	NDSH25170A	357Kb / 6P	Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 25 A, 1700 V, D1, TO-247-2L January, 2023 - Rev. 3
	NDSH10120C-F155	292Kb / 6P	Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 10 A, 1200 V, D3, TO-247-2L November, 2023 - Rev. 0
	NDSH20120C-F155	292Kb / 6P	Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L November, 2023 - Rev. 0
	NDSH30120C-F155	321Kb / 6P	Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 30 A, 1200 V, D3, TO-247-2L November, 2023 - Rev. 0
	NDSH50120C-F155	211Kb / 6P	Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 50 A, 1200 V, D3, TO-247-2L November, 2023 - Rev. 0

关于 ON Semiconductor

“安森美半导体家公开交易的公司，该公司设计，开发和生产各种半导体产品，用于各种应用，包括汽车，计算，消费品，工业和通信市场。
该公司成立于1999年，总部位于亚利桑那州凤凰城。
在半导体上，提供了广泛的电力管理，模拟和离散半导体的组合，包括电源MOSFET，二极管，整流器，电压调节器等。
该公司的产品旨在具有节能，可靠和成本效益，并用于多种应用，包括便携式电子产品，工业自动化系统，可再生能源系统和汽车电子产品。
在半导体上，致力于创新和客户满意度，并致力于提供最佳的半导体解决方案，以满足客户的需求。”

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