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IRG4BC30FDPBF 数据表 (PDF) - International Rectifier
IRG4BC30FDPBF Datasheet PDF - International Rectifier
部件名 IRG4BC30FDPBF
下载  IRG4BC30FDPBF 下载
文件大小   3177.53 Kbytes
页   11 Pages
制造商  IRF [International Rectifier]
网页  http://www.irf.com
标志 IRF - International Rectifier
功能描述 Fast CoPack 1GBT ( VCES = 600V , VCE(on)typ. = 1.59V , VGE = 15V , IC = 17A )

IRG4BC30FDPBF Datasheet (PDF)

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IRG4BC30FDPBF Datasheet PDF - International Rectifier

部件名 IRG4BC30FDPBF
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文件大小   3177.53 Kbytes
页   11 Pages
制造商  IRF [International Rectifier]
网页  http://www.irf.com
标志 IRF - International Rectifier
功能描述 Fast CoPack 1GBT ( VCES = 600V , VCE(on)typ. = 1.59V , VGE = 15V , IC = 17A )

IRG4BC30FDPBF 数据表 (HTML) - International Rectifier


IRG4BC30FDPBF 产品详情

Fast CoPack IGBT

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features
• Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode).
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
• Industry standard TO-220AB package
• Lead-Free




类似零件编号 - IRG4BC30FDPBF

制造商部件名数据表功能描述
logo
International Rectifier		 IRG4BC30FDPBF IRF-IRG4BC30FDPBF Datasheet
397Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC30FDPBF IRF-IRG4BC30FDPBF_15 Datasheet
397Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
More results


类似说明 - IRG4BC30FDPBF

制造商部件名数据表功能描述
logo
International Rectifier		 IRG4BC20U IRF-IRG4BC20U Datasheet
167Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRG4BC30F IRF-IRG4BC30F Datasheet
167Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
IRG4BC30FD IRF-IRG4BC30FD Datasheet
412Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
IRG4BC30K IRF-IRG4BC30K Datasheet
137Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4BC40U IRF-IRG4BC40U Datasheet
169Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4PC30F IRF-IRG4PC30F Datasheet
145Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
IRG4PC30FD IRF-IRG4PC30FD Datasheet
210Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
IRG4PC40U IRF-IRG4PC40U Datasheet
148Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4PC50F IRF-IRG4PC50F Datasheet
146Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
IRG4PC20UPBF IRF-IRG4PC20UPBF Datasheet
693Kb / 8P		 UltraFast Speed 1GBT (VCES=600V , VCE(on)typ.=1.85V , @VGE=15V , Ic=6.5A )
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关于 International Rectifier

国际整流器（IR）是一家美国公司，专门从事电力管理和电力控制半导体的设计和制造。
该公司成立于1947年，总部位于加利福尼亚州的El Segundo。
IR提供了广泛的产品，包括电力管理IC，Power MOSFET，IGBT和其他电力控制产品。
该公司的产品用于各种应用，例如计算，电信和工业自动化。
IR以其电力管理和控制技术方面的专业知识以及向客户提供高质量和可靠产品的能力而闻名。
2014年，IR被Infineon Technologies收购，Infineon Technologies是电力管理和控制产品以及其他半导体解决方案的领先提供商。
国际整流器品牌不再使用，但其技术和产品仍然是Infineon投资组合的一部分。

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。




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