3SK324UG 数据表(PDF)

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3SK324UG 数据表 (PDF) - Renesas Technology Corp

3SK324UG Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


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制造商	RENESAS [Renesas Technology Corp]

网页	http://www.renesas.com

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功能描述	Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier

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制造商	RENESAS [Renesas Technology Corp]

网页	http://www.renesas.com

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功能描述	Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier

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3SK324UG 产品详情

Features

• Low noise characteristics; NF = 1.0 dB typ. (at f = 900 MHz)

• High gain characteristics; PG = 24 dB typ. (at f = 900 MHz)

• Capable low voltage operation; +B = 3.5 V

• High Endurance Voltage; VDS = 6 V

类似零件编号 - 3SK324UG

制造商	部件名	数据表	功能描述
Renesas Technology Corp	3SK324UG	85Kb / 8P	Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier

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关于 Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp是一家日本半导体公司，可为汽车，工业和消费者市场中的各种应用提供广泛的微控制器，芯片以及模拟和电源设备。
该公司于2010年通过NEC Electronics Corporation and Renesas Technology Corporation合并成立。
Renesas是世界上最大的微控制器供应商之一，并以其在物联网（IoT），人工智能（AI）和汽车电子产品等领域的高级技术开发方面的专业知识而闻名。
该公司在20多个国家 /地区开展业务，其产品用于广泛的应用。

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