VB20150S 数据表(PDF) - Vishay Siliconix

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VB20150S 数据表 (PDF) - Vishay Siliconix

VB20150S Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部件名	VB20150S

下载	VB20150S 下载

文件大小	167.54 Kbytes

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制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

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功能描述	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

VB20150S Datasheet (PDF)

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部件名	VB20150S

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制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

标志

功能描述	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

VB20150S 数据表 (HTML) - Vishay Siliconix

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VB20150S 产品详情

FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reserve battery protection.

类似零件编号 - VB20150S

制造商	部件名	数据表	功能描述
Vishay Siliconix	VB20150S-E3	152Kb / 6P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 13-Aug-13
	VB20150S-E3	143Kb / 5P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 13-Aug-13
	VB20150S-E3	217Kb / 6P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 18-Jun-2018
Inchange Semiconductor ...	VB20150S-E3	321Kb / 2P	Schotty Barrier Diode
Vishay Siliconix	VB20150S-E3/4W	163Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09

类似说明 - VB20150S

制造商	部件名	数据表	功能描述
Vishay Siliconix	V10150S	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 19-May-08
	V30120S	165Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 19-May-08
	V40150C	168Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 19-May-08
	VB20150S-M3	89Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5.0 A 30-Jun-14
	V20M120C	141Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 13-Dec-16
	V30M120M-E3	100Kb / 4P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 11-May-16
	V40M150C-M3	128Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 10-May-16
	VB20M120C-E3	92Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 03-Jan-17
	VF20M120C-M3	91Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 02-Dec-13
	V40150C-E3	157Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 13-Dec-16

关于 Vishay Siliconix

Vishay Siliconix是Vishay Intertechnology的子公司，Vishay Intertechnology是被动电子组件的全球制造商。
Vishay Siliconix专门研究Power MOSFET，IGBT和其他功率半导体的设计，制造和营销。
该公司成立于1962年，总部位于加利福尼亚州圣克拉拉。
Vishay Siliconix为各种应用提供了电力解决方案，包括可再生能源系统，工业设备，计算和电信以及汽车电子产品。
该公司的产品专为高效，低功耗和高可靠性而设计，并使用先进的制造工艺在最先进的设施中生产。
侧重于创新和客户满意度，Vishay Siliconix致力于为客户提供满足其需求的最佳电力管理解决方案。

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