V30200C 数据表(PDF) - Vishay Siliconix

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V30200C 数据表 (PDF) - Vishay Siliconix

V30200C Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部件名	V30200C

下载	V30200C 下载

文件大小	158.0 Kbytes

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制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

标志

功能描述	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A

V30200C Datasheet (PDF)

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部件名	V30200C

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制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

标志

功能描述	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A

V30200C 数据表 (HTML) - Vishay Siliconix

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类似零件编号 - V30200C

制造商	部件名	数据表	功能描述
Vishay Siliconix	V30200C	160Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	V30200C	157Kb / 5P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5A 17-Aug-15
	V30200C	216Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5A 19-Jun-2018
	V30200C-E3-4W	160Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	V30200C	160Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09

类似说明 - V30200C

制造商	部件名	数据表	功能描述
Vishay Siliconix	V40100G	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 19-May-08
	V40100PG	106Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.420 V at IF = 5 A 26-May-08
	V50100P	103Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.375 V at IF = 5 A 26-May-08
	V60200PG	104Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-Oct-08
	VF20100R	83Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 17-Aug-15
	VT60L45PW	96Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.24 V at IF = 5 A 08-Jan-14
	V30M120C	144Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 17-Nov-16
	V40D120C-M3	109Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.45 V at IF = 5 A 06-Feb-15
	V60M120C-M3	129Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 10-May-16
	V20100C-E3	167Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 13-Dec-16

关于 Vishay Siliconix

Vishay Siliconix是Vishay Intertechnology的子公司，Vishay Intertechnology是被动电子组件的全球制造商。
Vishay Siliconix专门研究Power MOSFET，IGBT和其他功率半导体的设计，制造和营销。
该公司成立于1962年，总部位于加利福尼亚州圣克拉拉。
Vishay Siliconix为各种应用提供了电力解决方案，包括可再生能源系统，工业设备，计算和电信以及汽车电子产品。
该公司的产品专为高效，低功耗和高可靠性而设计，并使用先进的制造工艺在最先进的设施中生产。
侧重于创新和客户满意度，Vishay Siliconix致力于为客户提供满足其需求的最佳电力管理解决方案。

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