TSTA7100 数据表(PDF)

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TSTA7100 数据表 (PDF) - Vishay Siliconix

TSTA7100 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部件名	TSTA7100

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文件大小	82.39 Kbytes

页	6 Pages

制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

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功能描述	GaAlAs IR Emitting Diode in Hermetically Sealed TO18 Case

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部件名	TSTA7100

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页	6 Pages

制造商	VISHAY [Vishay Siliconix]

网页	http://www.vishay.com

标志

功能描述	GaAlAs IR Emitting Diode in Hermetically Sealed TO18 Case

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TSTA7100 产品详情

DESCRIPTION
TSTA7100 is an infrared, 875 nm emitting diode in GaAlAs technology in a hermetically sealed TO-18 package with lens.

FEATURES
• Package type: leaded
• Package form: TO-18
• Dimensions (in mm): ∅ 4.7
• Peak wavelength: λp = 875 nm
• High reliability
• High radiant power
• High radiant intensity
• Angle of half intensity: ϕ = ± 5°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Lead (Pb)-free component in accordance with RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

APPLICATIONS
• Radiation source near infrared range

类似零件编号 - TSTA7100

制造商	部件名	数据表	功能描述
Vishay Siliconix	TSTA7100	150Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 04-Sep-08
	TSTA7100	143Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 04-Sep-08
	TSTA7100	143Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 04-Sep-08
	TSTA7100	150Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 04-Sep-08
	TSTA7100	143Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 04-Sep-08

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	TSTS730	81Kb / 5P	GaAs IR Emitting Diodes in Hermetically Sealed TO18 Case 20-May-99
	TSTS750	81Kb / 5P	GaAs IR Emitting Diodes in Hermetically Sealed TO18 Case 20-May-99
	T8514VB	92Kb / 4P	Specification of GaAlAs IR Emitting Diode Chip 29-Mar-10
	T8719VA	85Kb / 4P	Specification of GaAlAs IR Emitting Diode Chip 23-Mar-11
	T8914VA	100Kb / 4P	Specification of GaAlAs IR Emitting Diode Chip 29-Mar-10
	TB9414VA	84Kb / 4P	Specification of GaAlAs IR Emitting Diode Chip 28-Jul-14
	TB9414VA	85Kb / 4P	Specification of GaAlAs IR Emitting Diode Chip 28-Jul-14

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关于 Vishay Siliconix

Vishay Siliconix是Vishay Intertechnology的子公司，Vishay Intertechnology是被动电子组件的全球制造商。
Vishay Siliconix专门研究Power MOSFET，IGBT和其他功率半导体的设计，制造和营销。
该公司成立于1962年，总部位于加利福尼亚州圣克拉拉。
Vishay Siliconix为各种应用提供了电力解决方案，包括可再生能源系统，工业设备，计算和电信以及汽车电子产品。
该公司的产品专为高效，低功耗和高可靠性而设计，并使用先进的制造工艺在最先进的设施中生产。
侧重于创新和客户满意度，Vishay Siliconix致力于为客户提供满足其需求的最佳电力管理解决方案。

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