2SB649 数据表(PDF)

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2SB649 数据表 (PDF) - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

2SB649 Datasheet PDF - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH


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制造商	SECOS [SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]

网页	http://www.secosgmbh.com

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功能描述	PNP Type Plastic Encapsulate Transistors

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制造商	SECOS [SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]

网页	http://www.secosgmbh.com

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功能描述	PNP Type Plastic Encapsulate Transistors

2SB649 数据表 (HTML) - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

2SB649 Datasheet HTML 1Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

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2SB649 产品详情

FEATURES

Power smplifier applications

Power dissipation

   PCM :    1W（Tamb=25℃）

Collector current

   ICM :    -1.5 A

Collector-base voltage

   V(BR)CBO : -180 V

Operating and storage junction temperature range

   TJ，Tstg: -55℃ to +150

Collector-emitter voltage

VCEO

2SB649

2SB649A

: -120 V

: -160 V

类似零件编号 - 2SB649

制造商	部件名	数据表	功能描述
Hitachi Semiconductor	2SB649	35Kb / 8P	Silicon PNP Epitaxial
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	BC636	221Kb / 2P	PNP Type Plastic Encapsulate Transistors
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SeCoS Halbleitertechnol...	CZD772	295Kb / 3P	PNP Type Plastic Encapsulate Transistors
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