NTGD3147F 数据表(PDF) - ON Semiconductor

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NTGD3147F 数据表 (PDF) - ON Semiconductor

NTGD3147F Datasheet PDF - ON Semiconductor


部件名	NTGD3147F

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制造商	ONSEMI [ON Semiconductor]

网页	http://www.onsemi.com

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功能描述	Power MOSFET and Schottky Diode??0 V, ??.5 A, P?묬hannel with Schottky Barrier Diode, TSOP??

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制造商	ONSEMI [ON Semiconductor]

网页	http://www.onsemi.com

标志

功能描述	Power MOSFET and Schottky Diode??0 V, ??.5 A, P?묬hannel with Schottky Barrier Diode, TSOP??

NTGD3147F 数据表 (HTML) - ON Semiconductor

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类似零件编号 - NTGD3147F

制造商	部件名	数据表	功能描述
ON Semiconductor	NTGD3148N	82Kb / 5P	Power MOSFET 20 V, 3.5 A, Dual N-Channel, TSOP-6 April, 2008 - Rev. 0
ON Semiconductor	NTGD3148NT1G	82Kb / 5P	Power MOSFET 20 V, 3.5 A, Dual N-Channel, TSOP-6 April, 2008 - Rev. 0
VBsemi Electronics Co.,...	NTGD3148NT1G	1Mb / 9P	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
ON Semiconductor	NTGD3149C	126Kb / 8P	Power MOSFET Complementary, 20 V, 3.5/??.7 A, TSOP?? Dual May, 2008 ??Rev. 0
ON Semiconductor	NTGD3149CT1G	126Kb / 8P	Power MOSFET Complementary, 20 V, 3.5/??.7 A, TSOP?? Dual May, 2008 ??Rev. 0

类似说明 - NTGD3147F

制造商	部件名	数据表	功能描述
ON Semiconductor	NTGD3133P	67Kb / 5P	Power MOSFET ??0 V, ??.5 A, P?묬hannel, TSOP?? Dual July, 2006 ??Rev. 0
	NTLJF3117P	91Kb / 8P	Power MOSFET and Schottky Diode ??0 V, ??.1 A, P?묬hannel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm, uCool Package July, 2006 ??Rev. 2
	NTGS1135P	110Kb / 5P	Power MOSFET ?? V, ??.8 A, Single P?묬hannel, TSOP?? October, 2008 ??Rev. 0
	NTHD3133PF	97Kb / 7P	Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, FETKY, P-Channel, -4.4 A, with 3.7 A Schottky Barrier Diode, ChipFET? October, 2007 - Rev. 0
	NTLJD3182FZ	134Kb / 8P	Power MOSFET and Schottky Diode ??0 V, ??.0 A, 關Cool??Single P?묬hannel & Schottky Barrier Diode, ESD December, 2008 ??Rev. 0
	NTMD4184PF	103Kb / 7P	Power MOSFET and Schottky Diode -30 V, -4.0 A, Single P-Channel with 20 V, 2.2 A, Schottky Barrier Diode March, 2008 - Rev. 0
	NTGD4169F	136Kb / 7P	Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, 2.9 A, N?묬hannel with Schottky Barrier Diode, TSOP?? May, 2008 ??Rev. 1
	NTGS5120P	112Kb / 5P	Power MOSFET ??0 V, ??.9 A, Single P?묬hannel, TSOP?? June, 2008 ??Rev. P0
	NTLGF3402P	91Kb / 8P	Power MOSFET and Schottky Diode ??0 V, ??.9 A FETKY, P?묬hannel, 2.0 A Schottky Barrier Diode, DFN6 March, 2006 ??Rev. 1
Zibo Seno Electronic En...	MBR740	186Kb / 2P	7 .0 A SCHOTTKY BARRIER DIODE

关于 ON Semiconductor

“安森美半导体家公开交易的公司，该公司设计，开发和生产各种半导体产品，用于各种应用，包括汽车，计算，消费品，工业和通信市场。
该公司成立于1999年，总部位于亚利桑那州凤凰城。
在半导体上，提供了广泛的电力管理，模拟和离散半导体的组合，包括电源MOSFET，二极管，整流器，电压调节器等。
该公司的产品旨在具有节能，可靠和成本效益，并用于多种应用，包括便携式电子产品，工业自动化系统，可再生能源系统和汽车电子产品。
在半导体上，致力于创新和客户满意度，并致力于提供最佳的半导体解决方案，以满足客户的需求。”

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