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PTF210451F 数据表 (PDF) - Infineon Technologies AG
PTF210451F Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
部件名 PTF210451F
下载  PTF210451F 下载
文件大小   263.08 Kbytes
页   10 Pages
制造商  INFINEON [Infineon Technologies AG]
网页  http://www.infineon.com
标志 INFINEON - Infineon Technologies AG
功能描述 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz

PTF210451F Datasheet (PDF)

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PTF210451F Datasheet PDF - Infineon Technologies AG

部件名 PTF210451F
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页   10 Pages
制造商  INFINEON [Infineon Technologies AG]
网页  http://www.infineon.com
标志 INFINEON - Infineon Technologies AG
功能描述 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz

PTF210451F 数据表 (HTML) - Infineon Technologies AG




类似零件编号 - PTF210451F

制造商部件名数据表功能描述
logo
Infineon Technologies A...		 PTF210451 INFINEON-PTF210451 Datasheet
406Kb / 8P		 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
2003-12-22
PTF210451E INFINEON-PTF210451E Datasheet
406Kb / 8P		 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
2003-12-22
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类似说明 - PTF210451F

制造商部件名数据表功能描述
logo
Infineon Technologies A...		 PTFA212401E INFINEON-PTFA212401E Datasheet
495Kb / 11P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 04, 2009-10-05
PTFA212001E INFINEON-PTFA212001E Datasheet
402Kb / 11P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 05.1, 2009-02-24
PTFA210701E INFINEON-PTFA210701E Datasheet
387Kb / 10P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 70 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 02.1, 2009-02-18
PTFB211501E INFINEON-PTFB211501E Datasheet
362Kb / 13P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 02, 2009-11-19
PTFA211801E INFINEON-PTFA211801E Datasheet
275Kb / 11P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 180 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 04, 2007-11-15
PTFA210601E INFINEON-PTFA210601E Datasheet
260Kb / 10P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 60 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 03, 2007-11-19
PTFB211503EL INFINEON-PTFB211503EL Datasheet
734Kb / 14P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 04, 2011-03-07
PTFB211803EL INFINEON-PTFB211803EL Datasheet
477Kb / 14P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 180 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 05, 2010-11-10
PTFB212503EL INFINEON-PTFB212503EL Datasheet
978Kb / 14P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110-2170 MHz
Rev. 07, 2010-11-04
PTFB212503EFL INFINEON-PTFB212503EFL Datasheet
830Kb / 14P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110 ??2170 MHz
Rev. 07.1, 2016-06-15
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关于 Infineon Technologies AG

Infineon Technologies是一家领先的全球半导体制造商，专门为汽车，工业和通信系统等各种行业提供电力管理，安全和控制解决方案。
该公司成立于1999年，总部位于德国Neubiberg。
Infineon提供各种产品，包括微控制器，功率半导体，传感器和其他集成电路。
该公司在全球市场拥有强大的业务，在世界各地拥有运营和设施。

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。




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