ZXTN2007G 数据表(PDF) - Diodes Incorporated

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ZXTN2007G 数据表 (PDF) - Diodes Incorporated

ZXTN2007G Datasheet PDF - Diodes Incorporated


部件名	ZXTN2007G

下载	ZXTN2007G 下载

文件大小	141.28 Kbytes

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制造商	DIODES [Diodes Incorporated]

网页	http://www.diodes.com

标志

功能描述	30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

ZXTN2007G Datasheet (PDF)

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ZXTN2007G Datasheet PDF - Diodes Incorporated


部件名	ZXTN2007G

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制造商	DIODES [Diodes Incorporated]

网页	http://www.diodes.com

标志

功能描述	30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

ZXTN2007G 数据表 (HTML) - Diodes Incorporated

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ZXTN2007G 产品详情

DESCRIPTION

Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 30V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.

FEATURES

• Extemely low equivalent on-resistance; RSAT = 28m at 6.5A

• 7 amps continuous current

• Up to 20 amps peak current

• Very low saturation voltages

• Excellent hFE characteristics up to 20 amps

APPLICATIONS

• DC - DC converters

• MOSFET gate drivers

• Charging circuits

• Power switches

• Motor control

类似零件编号 - ZXTN2007G

制造商	部件名	数据表	功能描述
Zetex Semiconductors	ZXTN2007G	125Kb / 6P	30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
Zetex Semiconductors	ZXTN2007GTA	125Kb / 6P	30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
Diodes Incorporated	ZXTN2007GTA	437Kb / 7P	30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR Rev 3
Zetex Semiconductors	ZXTN2007GTC	125Kb / 6P	30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
Diodes Incorporated	ZXTN2007G	141Kb / 6P	30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 MAY 2006

类似说明 - ZXTN2007G

制造商	部件名	数据表	功能描述
Zetex Semiconductors	ZX5T849G	120Kb / 6P	30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
	ZX5T851G	122Kb / 6P	60V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
	ZXTN2011G	122Kb / 6P	100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
	ZXTN2010G	122Kb / 6P	60V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
	ZXTN2007G	125Kb / 6P	30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
	ZXTN2011G	135Kb / 6P	100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
Diodes Incorporated	ZX5T849G	126Kb / 6P	30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 NOVEMBER 2003
	ZXTN2007G	141Kb / 6P	30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 MAY 2006
	ZXTN2010G	143Kb / 6P	60V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 MAY 2006
	ZXTN2011G	142Kb / 6P	100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 MAY 2006

关于 Diodes Incorporated

Diodes Incorporated是一家公开交易的公司，设计，制造和提供各种离散，模拟和混合信号半导体以及完整的电力解决方案。
该公司成立于1964年，总部位于德克萨斯州普莱诺。
它在北美，欧洲和亚洲的销售，支持和设计中心在全球范围内运作。
Diodes Incorporated为各种行业提供服务，包括汽车，通信，计算，消费者和工业。
该公司提供各种产品，包括二极管，整流器，晶体管，电压调节器，MOSFET，LED驱动器和保护设备等。
该公司的使命是为客户提供高质量，高可靠性产品和出色的客户服务。
侧重于创新和客户满意度，Diodes Incorporated致力于成为电力管理解决方案的领先提供商。

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。

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