IXGR32N60C 数据表(PDF)

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IXGR32N60C 数据表 (PDF) - IXYS Corporation

IXGR32N60C Datasheet PDF - IXYS Corporation


部件名	IXGR32N60C

下载	IXGR32N60C 下载

文件大小	544.63 Kbytes

页	4 Pages

制造商	IXYS [IXYS Corporation]

网页	http://www.ixys.com

标志

功能描述	HiPerFASTTM IGBT Lightspeed Series ISOPLUS247TM package(Electrically Isolated Back Side)

IXGR32N60C Datasheet (PDF)

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部件名	IXGR32N60C

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制造商	IXYS [IXYS Corporation]

网页	http://www.ixys.com

标志

功能描述	HiPerFASTTM IGBT Lightspeed Series ISOPLUS247TM package(Electrically Isolated Back Side)

IXGR32N60C 数据表 (HTML) - IXYS Corporation

IXGR32N60C Datasheet HTML 1Page - IXYS Corporation

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IXGR32N60C Datasheet HTML 3Page - IXYS Corporation

IXGR32N60C Datasheet HTML 4Page - IXYS Corporation

IXGR32N60C 产品详情

Features

• DCB Isolated mounting tab

• Meets TO-247AD package Outline

• High current handling capability

• Latest generation HDMOSTM process

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switched-mode and resonant-mode power supplies

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

Advantages

• Easy assembly

• High power density

• Very fast switching speeds for high frequency applications

类似零件编号 - IXGR32N60C

制造商	部件名	数据表	功能描述
IXYS Corporation	IXGR32N60CD1	572Kb / 5P	HiPerFAST IGBT with Diode ISOPLUS247

More results

类似说明 - IXGR32N60C

制造商	部件名	数据表	功能描述
IXYS Corporation	IXGR24N60C	56Kb / 2P	HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM (Electrically Isolated Back Surface)
	IXGR60N60C2	612Kb / 6P	Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface)
	IXFR21N100Q	38Kb / 2P	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM (Electrically Isolated Back Surface)
	IXFR24N100	36Kb / 2P	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM(Electrically Isolated Back Surface)
	IXGR40N60C2	183Kb / 6P	HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM C2-Class High Speed IGBTs
	IXGR120N60B	566Kb / 5P	HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM
	IXKC15N60C5	119Kb / 4P	Electrically isolated back surface Electrically isolated back surface
	IXGC16N60B2	92Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	IXGR39N60B	519Kb / 2P	HiPerFASTTM IGBT (Electrically Isolated Backside)
	IXGR40N60B	58Kb / 2P	HiPerFASTTM IGBT (Electrically Isolated Backside)

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关于 IXYS Corporation

IXYS Corporation是一家技术公司，专门研究电力半导体和集成电路（ICS）的设计，制造和销售。该公司成立于1983年，总部位于加利福尼亚州的米尔皮塔斯。 IXYS拥有全球影响力，在全球60多个国家 /地区拥有运营和客户。

IXYS提供了广泛的产品和解决方案，包括电力MOSFET，功率双极晶体管，晶闸管，二极管和ICS用于电源管理和控制应用。该公司的产品用于多种应用，包括可再生能源，工业，汽车和消费电子产品。

Ixys以其功率半导体技术方面的专业知识以及为客户提供高性能和成本效益的解决方案的能力。该公司致力于创新和研发，并积极参与电力半导体市场的新技术和解决方案的开发。 IXYS是电力半导体市场的公认领导者，并继续为其客户提供高质量的产品和服务。

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