MTY10N100E 数据表(PDF) - Motorola, Inc

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MTY10N100E 数据表 (PDF) - Motorola, Inc

MTY10N100E Datasheet PDF - Motorola, Inc


部件名	MTY10N100E

下载	MTY10N100E 下载

文件大小	228.65 Kbytes

页	8 Pages

制造商	MOTOROLA [Motorola, Inc]

网页	http://www.freescale.com

标志

功能描述	TMOS POWER FET 10 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.3 OHM

MTY10N100E Datasheet (PDF)

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MTY10N100E Datasheet PDF - Motorola, Inc


部件名	MTY10N100E

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文件大小	228.65 Kbytes

页	8 Pages

制造商	MOTOROLA [Motorola, Inc]

网页	http://www.freescale.com

标志

功能描述	TMOS POWER FET 10 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.3 OHM

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MTY10N100E 产品详情

TMOS E-FET Power Eield Effect Transistor
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. Designed for high voltage and high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Robust High Voltage Termination
• Avalanche Energy Specified
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

类似零件编号 - MTY10N100E

制造商	部件名	数据表	功能描述
Motorola, Inc	MTY100N10E	216Kb / 8P	TMOS POWER FET 100 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.011 OHM
ON Semiconductor	MTY100N10E	212Kb / 7P	Power MOSFET August, 2006 ??Rev. 4
Inchange Semiconductor ...	MTY100N10E	324Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

类似说明 - MTY10N100E

制造商	部件名	数据表	功能描述
Motorola, Inc	MTD5P06E	208Kb / 10P	TMOS POWER FET 5.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.55 OHM
	MTD5P06V	245Kb / 10P	TMOS POWER FET 5 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.450 OHM
	MTD6N20E	269Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.7 OHM
	MTP1N100E	203Kb / 8P	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 9.0 OHM
	MTP3N100E	206Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 4.0 OHM
	MTV10N100E	269Kb / 10P	TMOS POWER FET 10 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.3 OHM
	MTV6N100E	262Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.5 OHM
	MTW10N100E	192Kb / 8P	TMOS POWER FET 10 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.3 OHM
	MTW6N100E	195Kb / 8P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.5 OHM
	MTY14N100E	232Kb / 8P	TMOS POWER FET 14 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 0.80 OHM

关于 Motorola, Inc

摩托罗拉公司（Motorola，Inc。）是一家美国跨国电信公司，成立于1928年。它的总部位于伊利诺伊州的Schaumburg，是手机，电信设备和半导体的最大的提供商之一。在整个历史上，摩托罗拉以其在电信领域的创新而闻名，包括开发世界上第一个商业上可用的蜂窝电话，Dynatac，以及世界上第一个双向Pager PageBoy。

2011年，摩托罗拉分为两家单独的公司：摩托罗拉移动性和摩托罗拉解决方案。摩托罗拉的移动性后来被Google于2012年收购，现在是联想的子公司。摩托罗拉解决方案侧重于公共安全，商业和工业通信解决方案。该公司提供广泛的产品，包括双向收音机，移动计算设备和网络基础架构设备。

摩托罗拉是手机行业的先驱之一，拥有创新和技术进步的悠久历史。该公司的遗产继续通过其子公司，其技术和产品继续在世界范围内使用。

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