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IRG7PH35UD1MPBF 数据表 (PDF) - International Rectifier
IRG7PH35UD1MPBF Datasheet PDF - International Rectifier
部件名 IRG7PH35UD1MPBF
下载  IRG7PH35UD1MPBF 下载
文件大小   295.88 Kbytes
页   9 Pages
制造商  IRF [International Rectifier]
网页  http://www.irf.com
标志 IRF - International Rectifier
功能描述 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE

IRG7PH35UD1MPBF Datasheet (PDF)

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IRG7PH35UD1MPBF Datasheet PDF - International Rectifier

部件名 IRG7PH35UD1MPBF
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文件大小   295.88 Kbytes
页   9 Pages
制造商  IRF [International Rectifier]
网页  http://www.irf.com
标志 IRF - International Rectifier
功能描述 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE

IRG7PH35UD1MPBF 数据表 (HTML) - International Rectifier


IRG7PH35UD1MPBF 产品详情

Features
• Low VCE (ON) trench IGBT Technology
• Low Switching Losses
• Square RBSOA
• Ultra-Low VFDiode
• 1300Vpk Repetitive Transient Capacity
• 100% of the Parts Tested for ILM
• Positive VCE (ON) Temperature Co-Efficient
• Tight Parameter Distribution
• Lead Free Package

Benefits
• Device optimized for induction heating and soft switching
   applications
• High Efficiency due to Low VCE(on), low switching losses
   and Ultra-low VF
• Rugged transient performance for increased reliability
• Excellent current sharing in parallel operation
• Low EMI




类似零件编号 - IRG7PH35UD1MPBF

制造商部件名数据表功能描述
logo
International Rectifier		 IRG7PH35UD1MPBF IRF-IRG7PH35UD1MPBF Datasheet
295Kb / 9P		 Low Switching Losses
IRG7PH35UD1MPBF IRF-IRG7PH35UD1MPBF_15 Datasheet
295Kb / 9P		 Low Switching Losses
More results


类似说明 - IRG7PH35UD1MPBF

制造商部件名数据表功能描述
logo
International Rectifier		 IRGP4068DPBF IRF-IRGP4068DPBF Datasheet
326Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
IRGI4060DPBF IRF-IRGI4060DPBF Datasheet
319Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA FAST RECOVERY DIODE
IRGI4045DPBF IRF-IRGI4045DPBF Datasheet
327Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA FAST RECOVERY DIODE
IRG7PH35UD1PBF IRF-IRG7PH35UD1PBF Datasheet
406Kb / 9P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
IRG7PH42UD1PBF IRF-IRG7PH42UD1PBF Datasheet
429Kb / 9P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
IRG7PH28UD1PBF IRF-IRG7PH28UD1PBF Datasheet
398Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE
IRG7PH42UD1MPBF IRF-IRG7PH42UD1MPBF Datasheet
276Kb / 9P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE
IRGP4078DPBF IRF-IRGP4078DPBF Datasheet
828Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
IRGR2B60KDPBF IRF-IRGR2B60KDPBF Datasheet
751Kb / 12P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-FAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGR2B60KDPBF IRF-IRGR2B60KDPBF_15 Datasheet
751Kb / 12P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-FAST SOFT RECOVERY DIODE
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关于 International Rectifier

国际整流器（IR）是一家美国公司，专门从事电力管理和电力控制半导体的设计和制造。
该公司成立于1947年，总部位于加利福尼亚州的El Segundo。
IR提供了广泛的产品，包括电力管理IC，Power MOSFET，IGBT和其他电力控制产品。
该公司的产品用于各种应用，例如计算，电信和工业自动化。
IR以其电力管理和控制技术方面的专业知识以及向客户提供高质量和可靠产品的能力而闻名。
2014年，IR被Infineon Technologies收购，Infineon Technologies是电力管理和控制产品以及其他半导体解决方案的领先提供商。
国际整流器品牌不再使用，但其技术和产品仍然是Infineon投资组合的一部分。

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。




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