BSS123-7 数据表(PDF) - Diodes Incorporated

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BSS123-7 数据表 (PDF) - Diodes Incorporated

BSS123-7 Datasheet PDF - Diodes Incorporated


部件名	BSS123-7

下载	BSS123-7 下载

文件大小	67.49 Kbytes

页	3 Pages

制造商	DIODES [Diodes Incorporated]

网页	http://www.diodes.com

标志

功能描述	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

BSS123-7 Datasheet (PDF)

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BSS123-7 Datasheet PDF - Diodes Incorporated


部件名	BSS123-7

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页	3 Pages

制造商	DIODES [Diodes Incorporated]

网页	http://www.diodes.com

标志

功能描述	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

BSS123-7 数据表 (HTML) - Diodes Incorporated

BSS123-7 Datasheet HTML 1Page - Diodes Incorporated

BSS123-7 Datasheet HTML 2Page - Diodes Incorporated

BSS123-7 Datasheet HTML 3Page - Diodes Incorporated

BSS123-7 产品详情

Description
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Features
• Low Gate Threshold Voltage
• Low Input Capacitance
• Fast Switching Speed
• Low Input/Output Leakage
• High Drain-Source Voltage Rating
• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications
• Small Servo Motor Control
• Power MOSFET Gate Drivers
• Switching Applications

类似零件编号 - BSS123-7

制造商	部件名	数据表	功能描述
Diodes Incorporated	BSS123-7	67Kb / 3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30366 Rev. 3 - 2
	BSS123-7-F	367Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30366 Rev. 6 - 2
	BSS123-7-F	128Kb / 3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30366 Rev.8 - 2
VBsemi Electronics Co.,...	BSS123-7-F	1Mb / 8P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

类似说明 - BSS123-7

制造商	部件名	数据表	功能描述
NXP Semiconductors	PHD83N03LT	282Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-16 July 2001
	PHP112N06T	262Kb / 14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-07 March 2001
	PHP47NQ10T	267Kb / 14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-16 May 2001
	PHP78NQ03LT	292Kb / 14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-14 November 2001
	SI4410DY	266Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02-05 July 2001
	SI4416DY	253Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-05 June 2001
	SI4420DY	254Kb / 12P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-28 May 2001
	SI9956DY	253Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-16 July 2001
Fairchild Semiconductor	FDC633N	278Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild Semiconductor	FDT459N	89Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

关于 Diodes Incorporated

Diodes Incorporated是一家公开交易的公司，设计，制造和提供各种离散，模拟和混合信号半导体以及完整的电力解决方案。
该公司成立于1964年，总部位于德克萨斯州普莱诺。
它在北美，欧洲和亚洲的销售，支持和设计中心在全球范围内运作。
Diodes Incorporated为各种行业提供服务，包括汽车，通信，计算，消费者和工业。
该公司提供各种产品，包括二极管，整流器，晶体管，电压调节器，MOSFET，LED驱动器和保护设备等。
该公司的使命是为客户提供高质量，高可靠性产品和出色的客户服务。
侧重于创新和客户满意度，Diodes Incorporated致力于成为电力管理解决方案的领先提供商。

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。

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