IRF1310N 数据表(PDF)

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IRF1310N 数据表 (PDF) - International Rectifier

IRF1310N Datasheet PDF - International Rectifier


部件名	IRF1310N

下载	IRF1310N 下载

文件大小	96.76 Kbytes

页	8 Pages

制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)

IRF1310N Datasheet (PDF)

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部件名	IRF1310N

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制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)

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IRF1310N 产品详情

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

● Advanced Process Technology
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated

类似零件编号 - IRF1310N

制造商	部件名	数据表	功能描述
Inchange Semiconductor ...	IRF1310N	338Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF1310NL	156Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF1310NL	1Mb / 10P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF1310NL	300Kb / 2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF1310NLPBF	725Kb / 11P	HEXFET Power MOSFET

More results

类似说明 - IRF1310N

制造商	部件名	数据表	功能描述
International Rectifier	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRF1310NS	156Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
	IRF5EA1310	238Kb / 7P	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=23A)
	IRFI1310N	104Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=24A)
	IRFP150N	135Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.035W, Id=42A)
	IRFR2407	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.026ohm, Id=42A??
	IRFR4104	182Kb / 11P	Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A)
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)
	IRFR2905ZPBF	278Kb / 12P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 14.5m廓 , ID = 42A )
	IRFR4104PBF	273Kb / 12P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 5.5m廓 , ID = 42A )

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关于 International Rectifier

国际整流器（IR）是一家美国公司，专门从事电力管理和电力控制半导体的设计和制造。
该公司成立于1947年，总部位于加利福尼亚州的El Segundo。
IR提供了广泛的产品，包括电力管理IC，Power MOSFET，IGBT和其他电力控制产品。
该公司的产品用于各种应用，例如计算，电信和工业自动化。
IR以其电力管理和控制技术方面的专业知识以及向客户提供高质量和可靠产品的能力而闻名。
2014年，IR被Infineon Technologies收购，Infineon Technologies是电力管理和控制产品以及其他半导体解决方案的领先提供商。
国际整流器品牌不再使用，但其技术和产品仍然是Infineon投资组合的一部分。

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