IRF7526D1 数据表(PDF) - International Rectifier

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IRF7526D1 数据表 (PDF) - International Rectifier

IRF7526D1 Datasheet PDF - International Rectifier


部件名	IRF7526D1

下载	IRF7526D1 下载

文件大小	120.95 Kbytes

页	8 Pages

制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	FETKY??MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-30V, Rds(on)=0.20ohm, Schottky Vf=0.39V)

IRF7526D1 Datasheet (PDF)

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部件名	IRF7526D1

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页	8 Pages

制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	FETKY??MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-30V, Rds(on)=0.20ohm, Schottky Vf=0.39V)

IRF7526D1 数据表 (HTML) - International Rectifier

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IRF7526D1 产品详情

Description
The FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer the designer an innovative board space saving solution for switching regulator applications. Generation 5 HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining this technology with International Rectifiers low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics applications like cell phone, PDA, etc.

● Co-packaged HEXFET Power
MOSFET and Schottky Diode
● P-Channel HEXFET
● Low VF Schottky Rectifier
● Generation 5 Technology
● Micro8 Footprint

类似零件编号 - IRF7526D1

制造商	部件名	数据表	功能描述
International Rectifier	IRF7526D1PBF	151Kb / 10P	Co-packaged HEXFET짰Power MOSFET and Schottky Diode
	IRF7526D1PBF	151Kb / 10P	Generation 5 Technology
	IRF7526D1PBF	151Kb / 10P	Generation 5 Technology
	IRF7526D1TR	126Kb / 8P	Co-packaged HEXFET횘 Power MOSFET and Schottky Diode
	IRF7526D1TRPBF	151Kb / 10P	Co-packaged HEXFET짰Power MOSFET and Schottky Diode

类似说明 - IRF7526D1

制造商	部件名	数据表	功能描述
International Rectifier	IRF7523D1	204Kb / 8P	FETKY??MOSFET / Schottky Diode(Vdss=30V, Rds(on)=0.11ohm, Schottky Vf=0.39V)
	IRF7521D1	177Kb / 8P	FETKY??MOSFET / Schottky Diode(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm, Schottky Vf=0.39V)
	IRF7524D1	151Kb / 8P	FETKY??MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm, Schottky Vf=0.39V)
	IRF7534D1	106Kb / 8P	FETKY MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-20V, Rds(on)=0.055ohm, Schottky Vf=0.39V)
	IRF7322D1	174Kb / 8P	MOSFET Schottky Diode ( VDSS = -20V , RDS(on) = 0.058W , Schottky Vf = 0.39V )
	IRF5803D2	127Kb / 11P	FETKY??MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-40V, Rds(on)=112ohm)
	IRF7353D2PBF	122Kb / 8P	MOSFET / Schottky Diode (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.029廓 , Schottky VF = 0.52V)
	IRL3103D1S	126Kb / 7P	FETKY??MOSFET & SCHOTTKY RECTIFIER(Vdss=30V, Rds(on)=0.014ohm, Id=64A)
	IRL3103D2	116Kb / 6P	FETKY??MOSFET & SCHOTTKY RECTIFIER(Vdss=30V, Rds(on)=0.014ohm, Id=54A)
	IRL3103D1	94Kb / 6P	FETKY??MOSFET & SCHOTTKY RECTIFIER(Vdss=30V, Rds(on)=0.014ohm, Id=64A)

关于 International Rectifier

国际整流器（IR）是一家美国公司，专门从事电力管理和电力控制半导体的设计和制造。
该公司成立于1947年，总部位于加利福尼亚州的El Segundo。
IR提供了广泛的产品，包括电力管理IC，Power MOSFET，IGBT和其他电力控制产品。
该公司的产品用于各种应用，例如计算，电信和工业自动化。
IR以其电力管理和控制技术方面的专业知识以及向客户提供高质量和可靠产品的能力而闻名。
2014年，IR被Infineon Technologies收购，Infineon Technologies是电力管理和控制产品以及其他半导体解决方案的领先提供商。
国际整流器品牌不再使用，但其技术和产品仍然是Infineon投资组合的一部分。

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