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IRG4BC20KD 数据表 (PDF) - International Rectifier
IRG4BC20KD Datasheet PDF - International Rectifier
部件名 IRG4BC20KD
下载  IRG4BC20KD 下载
文件大小   199.06 Kbytes
页   10 Pages
制造商  IRF [International Rectifier]
网页  http://www.irf.com
标志 IRF - International Rectifier
功能描述 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

IRG4BC20KD Datasheet (PDF)

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IRG4BC20KD Datasheet PDF - International Rectifier

部件名 IRG4BC20KD
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文件大小   199.06 Kbytes
页   10 Pages
制造商  IRF [International Rectifier]
网页  http://www.irf.com
标志 IRF - International Rectifier
功能描述 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

IRG4BC20KD 数据表 (HTML) - International Rectifier


IRG4BC20KD 产品详情

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE



Features

•Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short

Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE= 15V

•Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than

previous generation

•IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in

bridge configurations

•Industry standard TO-220AB package



Benefits

•Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

•HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses

•This part replaces the IRGBC20KD2 and IRGBC20MD2 products

•For hints see design tip 97003




类似零件编号 - IRG4BC20KD

制造商部件名数据表功能描述
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International Rectifier		 IRG4BC20KD-S IRF-IRG4BC20KD-S Datasheet
222Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
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402Kb / 3P		 IGBT
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222Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
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关于 International Rectifier

国际整流器（IR）是一家美国公司，专门从事电力管理和电力控制半导体的设计和制造。
该公司成立于1947年，总部位于加利福尼亚州的El Segundo。
IR提供了广泛的产品，包括电力管理IC，Power MOSFET，IGBT和其他电力控制产品。
该公司的产品用于各种应用，例如计算，电信和工业自动化。
IR以其电力管理和控制技术方面的专业知识以及向客户提供高质量和可靠产品的能力而闻名。
2014年，IR被Infineon Technologies收购，Infineon Technologies是电力管理和控制产品以及其他半导体解决方案的领先提供商。
国际整流器品牌不再使用，但其技术和产品仍然是Infineon投资组合的一部分。

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。




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