IRG4BC30US 数据表(PDF) - International Rectifier

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IRG4BC30US 数据表 (PDF) - International Rectifier

IRG4BC30US Datasheet PDF - International Rectifier


部件名	IRG4BC30US

下载	IRG4BC30US 下载

文件大小	308.22 Kbytes

页	8 Pages

制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. = 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)

IRG4BC30US Datasheet (PDF)

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IRG4BC30US Datasheet PDF - International Rectifier


部件名	IRG4BC30US

下载	IRG4BC30US Click to download

文件大小	308.22 Kbytes

页	8 Pages

制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. = 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)

IRG4BC30US 数据表 (HTML) - International Rectifier

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IRG4BC30US 产品详情

Features
• UltraFast: Optimized for high operating
   frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
   kHz in resonant mode
• Generation 4 IGBT design provides tighter
   parameter distribution and higher efficiency than
   Generation 3
• Industry standard D2Pak package

Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
• IGBTs optimized for specified application conditions
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBTs

类似零件编号 - IRG4BC30US

制造商	部件名	数据表	功能描述
International Rectifier	IRG4BC30U	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4BC30U	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours
	IRG4BC30U-SPBF	392Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
	IRG4BC30UD	234Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4BC30UD	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours

类似说明 - IRG4BC30US

制造商	部件名	数据表	功能描述
International Rectifier	IRG4BC10S	157Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
	IRG4BC30SS	152Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
	IRG4BC30U	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4BC30UD	234Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4BC30W	139Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4BC30WS	188Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4PC30U	145Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4PC30UD	211Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4RC20F	264Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4BC30SS	204Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)

关于 International Rectifier

国际整流器（IR）是一家美国公司，专门从事电力管理和电力控制半导体的设计和制造。
该公司成立于1947年，总部位于加利福尼亚州的El Segundo。
IR提供了广泛的产品，包括电力管理IC，Power MOSFET，IGBT和其他电力控制产品。
该公司的产品用于各种应用，例如计算，电信和工业自动化。
IR以其电力管理和控制技术方面的专业知识以及向客户提供高质量和可靠产品的能力而闻名。
2014年，IR被Infineon Technologies收购，Infineon Technologies是电力管理和控制产品以及其他半导体解决方案的领先提供商。
国际整流器品牌不再使用，但其技术和产品仍然是Infineon投资组合的一部分。

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