IRG4PC50W 数据表(PDF) - International Rectifier

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IRG4PC50W 数据表 (PDF) - International Rectifier

IRG4PC50W Datasheet PDF - International Rectifier


部件名	IRG4PC50W

下载	IRG4PC50W 下载

文件大小	157.32 Kbytes

页	8 Pages

制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.30V, @Vge=15V, Ic=27A)

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部件名	IRG4PC50W

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文件大小	157.32 Kbytes

页	8 Pages

制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.30V, @Vge=15V, Ic=27A)

IRG4PC50W 数据表 (HTML) - International Rectifier

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IRG4PC50W 产品详情

Features
• Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC
(power factor correction) applications
• Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies
• 50% reduction of Eoff parameter
• Low IGBT conduction losses
• Latest-generation IGBT design and construction offers
tighter parameters distribution, exceptional reliability

Benefits
• Lower switching losses allow more cost-effective operation
than power MOSFETs up to 150 kHz ("hard switched" mode)
• Of particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher
• Low conduction losses and minimal minority-carrier recombination make these
an excellent option for resonant mode switching as well (up to >300 kHz)

类似零件编号 - IRG4PC50W

制造商	部件名	数据表	功能描述
Inchange Semiconductor ...	IRG4PC50W	367Kb / 3P	IGBT 2023-9-12
International Rectifier	IRG4PC50WPBF	242Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
	IRG4PC50WPBF	251Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
	IRG4PC50WPBF	251Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

类似说明 - IRG4PC50W

制造商	部件名	数据表	功能描述
International Rectifier	IRG4BC20U	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
	IRG4BC30W	139Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4BC40F	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)
	IRG4BC40U	169Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRG4PC30W	123Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4PC40F	145Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)
	IRG4PC50U	147Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A)
	IRGBC40F	248Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A)
	IRGPC40F	250Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A)
	IRG4BC30W	582Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)

关于 International Rectifier

国际整流器（IR）是一家美国公司，专门从事电力管理和电力控制半导体的设计和制造。
该公司成立于1947年，总部位于加利福尼亚州的El Segundo。
IR提供了广泛的产品，包括电力管理IC，Power MOSFET，IGBT和其他电力控制产品。
该公司的产品用于各种应用，例如计算，电信和工业自动化。
IR以其电力管理和控制技术方面的专业知识以及向客户提供高质量和可靠产品的能力而闻名。
2014年，IR被Infineon Technologies收购，Infineon Technologies是电力管理和控制产品以及其他半导体解决方案的领先提供商。
国际整流器品牌不再使用，但其技术和产品仍然是Infineon投资组合的一部分。

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