IRG4RC10U 数据表(PDF) - International Rectifier

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IRG4RC10U 数据表 (PDF) - International Rectifier

IRG4RC10U Datasheet PDF - International Rectifier


部件名	IRG4RC10U

下载	IRG4RC10U 下载

文件大小	131.31 Kbytes

页	8 Pages

制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

IRG4RC10U Datasheet (PDF)

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部件名	IRG4RC10U

下载	IRG4RC10U Click to download

文件大小	131.31 Kbytes

页	8 Pages

制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

IRG4RC10U 数据表 (HTML) - International Rectifier

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IRG4RC10U 产品详情

Features
• UltraFast: Optimized for high operating frequencies ( 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode)
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation
• Industry standard TO-252AA package

Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
• IGBTs optimized for specified application conditions

类似零件编号 - IRG4RC10U

制造商	部件名	数据表	功能描述
International Rectifier	IRG4RC10UD	191Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
	IRG4RC10UDPBF	308Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4RC10UDPBF	308Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4RC10UDPBF	308Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4RC10UPBF	654Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

类似说明 - IRG4RC10U

制造商	部件名	数据表	功能描述
International Rectifier	IRG4BC10UD	184Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
	IRG4BC20U	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
	IRG4BC30K	137Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
	IRG4BC30U	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4BC40U	169Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRG4PC40U	148Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRG4PC50F	146Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
	IRG4PH20K	229Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
	IRG4RC10K	134Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
	IRG4RC10UD	191Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

关于 International Rectifier

国际整流器（IR）是一家美国公司，专门从事电力管理和电力控制半导体的设计和制造。
该公司成立于1947年，总部位于加利福尼亚州的El Segundo。
IR提供了广泛的产品，包括电力管理IC，Power MOSFET，IGBT和其他电力控制产品。
该公司的产品用于各种应用，例如计算，电信和工业自动化。
IR以其电力管理和控制技术方面的专业知识以及向客户提供高质量和可靠产品的能力而闻名。
2014年，IR被Infineon Technologies收购，Infineon Technologies是电力管理和控制产品以及其他半导体解决方案的领先提供商。
国际整流器品牌不再使用，但其技术和产品仍然是Infineon投资组合的一部分。

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。

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