IRGPH50F 数据表(PDF) - International Rectifier

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IRGPH50F 数据表 (PDF) - International Rectifier

IRGPH50F Datasheet PDF - International Rectifier


部件名	IRGPH50F

下载	IRGPH50F 下载

文件大小	267.29 Kbytes

页	6 Pages

制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)

IRGPH50F Datasheet (PDF)

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IRGPH50F Datasheet PDF - International Rectifier


部件名	IRGPH50F

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制造商	IRF [International Rectifier]

网页	http://www.irf.com

标志

功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)

IRGPH50F 数据表 (HTML) - International Rectifier

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IRGPH50F 产品详情

Description
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, highcurrent applications.

Features
• Switching-loss rating includes all "tail" losses
• Optimized for medium operating frequency (1 to 10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

类似零件编号 - IRGPH50F

制造商	部件名	数据表	功能描述
International Rectifier	IRGPH50F	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours
	IRGPH50FD2	431Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
	IRGPH50FD2	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours

类似说明 - IRGPH50F

制造商	部件名	数据表	功能描述
International Rectifier	IRGBC40K	237Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=25A)
	IRGPH20M	240Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=4.5A)
	IRGPH20S	240Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=6.6A)
	IRGPH30S	82Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=13A)
	IRGPH40F	255Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=17A)
	IRGPH40M	84Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=18A)
	IRGPH40S	82Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRGPH50FD2	431Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
	IRGPH50M	255Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A)
	IRGPH50S	96Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=33A)

关于 International Rectifier

国际整流器（IR）是一家美国公司，专门从事电力管理和电力控制半导体的设计和制造。
该公司成立于1947年，总部位于加利福尼亚州的El Segundo。
IR提供了广泛的产品，包括电力管理IC，Power MOSFET，IGBT和其他电力控制产品。
该公司的产品用于各种应用，例如计算，电信和工业自动化。
IR以其电力管理和控制技术方面的专业知识以及向客户提供高质量和可靠产品的能力而闻名。
2014年，IR被Infineon Technologies收购，Infineon Technologies是电力管理和控制产品以及其他半导体解决方案的领先提供商。
国际整流器品牌不再使用，但其技术和产品仍然是Infineon投资组合的一部分。

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。

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