MM018-06L 数据表(PDF)

数据搜索系统，热门电子元器件搜索

MM018-06L 数据表 (PDF) - Microsemi Corporation

MM018-06L Datasheet PDF - Microsemi Corporation


部件名	MM018-06L

下载	MM018-06L 下载

文件大小	116.5 Kbytes

页	3 Pages

制造商	MICROSEMI [Microsemi Corporation]

网页	http://www.microsemi.com

标志

功能描述	3 PHASE N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IGBT BRIDGE

MM018-06L Datasheet (PDF)

下载数据表


部件名	MM018-06L

下载	MM018-06L Click to download

文件大小	116.5 Kbytes

页	3 Pages

制造商	MICROSEMI [Microsemi Corporation]

网页	http://www.microsemi.com

标志

功能描述	3 PHASE N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IGBT BRIDGE

MM018-06L 数据表 (HTML) - Microsemi Corporation

MM018-06L Datasheet HTML 1Page - Microsemi Corporation

MM018-06L Datasheet HTML 2Page - Microsemi Corporation

MM018-06L Datasheet HTML 3Page - Microsemi Corporation

MM018-06L 产品详情

Features
● Available in Low Conduction Loss Class as MM118-xxL or Fast Switching Class as MM118-xxF
● Compact and rugged construction offering weight and space savings
● Available with PC board solderable pins (see mechanical outline below) or threaded terminals (add “T”suffix to part number, see option below)
● HPM (Hermetic Power Module)
● Isolation voltage capability (in reference to the base) in excess of 3kV · Very low thermal resistance
● Thermally matched construction provides excellent temperature and power cycling capability
● Additional voltage ratings or terminations available upon request

类似零件编号 - MM018-06L

制造商	部件名	数据表	功能描述
ATMEL Corporation	MM0-65608EV-30-E	340Kb / 15P	Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM
	MM0-65609EV-40-E	249Kb / 14P	Rad. Hard 128K x 8 3.3-volt Very Low Power CMOS SRAM
	MM0-65609EV-40-E	1Mb / 14P	Rad Hard 128K x 8 3.3-volt Very Low Power CMOS SRAM
	MM0-65609EV-40MQ	249Kb / 14P	Rad. Hard 128K x 8 3.3-volt Very Low Power CMOS SRAM
	MM0-65609EV-40SV	1Mb / 14P	Rad Hard 128K x 8 3.3-volt Very Low Power CMOS SRAM

More results

类似说明 - MM018-06L

制造商	部件名	数据表	功能描述
Toshiba Semiconductor	GT30J324	166Kb / 7P	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT40T301	311Kb / 6P	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT20J101	259Kb / 6P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT8G132	338Kb / 6P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT15M321	269Kb / 6P	TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
	GT60M322	191Kb / 6P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT60M323	193Kb / 6P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT40T302	173Kb / 6P	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT60M303	426Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
	GT60N321	173Kb / 6P	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

More results

关于 Microsemi Corporation

Microsemi Corporation是一家美国公司，专门从事半导体和系统解决方案的设计和制造。
该公司成立于1960年，总部位于加利福尼亚州的Aliso Viejo。
Microsemi提供了广泛的产品，包括模拟和混合信号集成电路，现场可编程栅极阵列（FPGA），电源管理和控制产品以及其他半导体溶液。
该公司的产品用于国防和安全，航空和航空，工业和通信等各种应用。
Microsemi以其半导体技术方面的专业知识以及向客户提供高质量可靠产品的能力。
2018年，Microsemi由Microchip Technology收购，Microchip Technology是微控制器，混合信号，模拟和安全产品的领先提供商。
Microsemi品牌不再使用，但其技术和产品仍然是Microchip投资组合的一部分。

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。

链接网址

ALLDATASHEET是否为您带来帮助? [ DONATE ]
关于 Alldatasheet \| 广告服务 \| 联系我们 \| 隐私政策 \| 数据表链接 \| 链接交换 \| 制造商名单 All Rights Reserved©Alldatasheet.com
Mirror Sites English : Alldatasheet.com \| English : Alldatasheet.net \| Chinese : Alldatasheetcn.com \| German : Alldatasheetde.com \| Japanese : Alldatasheet.jp Russian : Alldatasheetru.com \| Korean : Alldatasheet.co.kr \| Spanish : Alldatasheet.es \| French : Alldatasheet.fr \| Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com \| Polish : Alldatasheet.pl \| Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in \| Mexican : Alldatasheet.com.mx \| British : Alldatasheet.co.uk \| New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com \| icmetro.com

ALLDATASHEET是否为您带来帮助? [ DONATE ]

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com