FZT688B 数据表(PDF)

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FZT688B 数据表 (PDF) - Diodes Incorporated

FZT688B Datasheet PDF - Diodes Incorporated


部件名	FZT688B

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文件大小	663.72 Kbytes

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制造商	DIODES [Diodes Incorporated]

网页	http://www.diodes.com

标志

功能描述	12V NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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部件名	FZT688B

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制造商	DIODES [Diodes Incorporated]

网页	http://www.diodes.com

标志

功能描述	12V NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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FZT688B 产品详情

Features
• BVCEO > 12V
• BVCBO > 12V
• IC = 4A High Continuous Current
• hFE > 400 @ 3A and Low Saturation Voltage
• Extremely Low Equivalent On-Resistance; RCE(SAT) 83mΩ at 3A
• Complementary PNP Type: FZT788B
• Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications
• Flash Gun Convertors
• Battery Powered Circuits

类似零件编号 - FZT688B

制造商	部件名	数据表	功能描述
Zetex Semiconductors	FZT688B	97Kb / 2P	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
Guangdong Kexin Industr...	FZT688B	37Kb / 2P	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor
List of Unclassifed Man...	FZT688B	109Kb / 2P	SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
List of Unclassifed Man...	FZT688BTA	109Kb / 2P	SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
Diodes Incorporated	FZT688B	114Kb / 2P	SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR OCTOBER 1995

More results

类似说明 - FZT688B

制造商	部件名	数据表	功能描述
Zetex Semiconductors	ZXTN25012EFH	384Kb / 6P	12V, SOT23, NPN medium power transistor
	ZXTN07012EFF	446Kb / 6P	12V, SOT23F, NPN high gain power transistor
	ZXTN25012EZ	387Kb / 8P	12V NPN high gain transistor
Diodes Incorporated	ZXTN07012EFF	458Kb / 6P	12V, SOT23F, NPN high gain power transistor SEPTEMBER 2006
	ZXTN25012EFH	387Kb / 6P	12V, SOT23, NPN medium power transistor MARCH 2008
	FMMTL717	401Kb / 7P	12V PNP HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Rev 2
	FZT694B	751Kb / 7P	120V NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
	FZT1051A	817Kb / 7P	40V NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
	FZT1147A	569Kb / 7P	12V PNP MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
	ZXTN07012EFF	372Kb / 7P	12V NPN HIGH GAIN POWER TRANSISTOR

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关于 Diodes Incorporated

Diodes Incorporated是一家公开交易的公司，设计，制造和提供各种离散，模拟和混合信号半导体以及完整的电力解决方案。
该公司成立于1964年，总部位于德克萨斯州普莱诺。
它在北美，欧洲和亚洲的销售，支持和设计中心在全球范围内运作。
Diodes Incorporated为各种行业提供服务，包括汽车，通信，计算，消费者和工业。
该公司提供各种产品，包括二极管，整流器，晶体管，电压调节器，MOSFET，LED驱动器和保护设备等。
该公司的使命是为客户提供高质量，高可靠性产品和出色的客户服务。
侧重于创新和客户满意度，Diodes Incorporated致力于成为电力管理解决方案的领先提供商。

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。

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