MMBD352WT1G 数据表(PDF)

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MMBD352WT1G 数据表 (PDF) - ON Semiconductor

MMBD352WT1G Datasheet PDF - ON Semiconductor


部件名	MMBD352WT1G

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文件大小	127.59 Kbytes

页	3 Pages

制造商	ONSEMI [ON Semiconductor]

网页	http://www.onsemi.com

标志

功能描述	Dual Schottky Barrier Diode

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制造商	ONSEMI [ON Semiconductor]

网页	http://www.onsemi.com

标志

功能描述	Dual Schottky Barrier Diode

MMBD352WT1G 数据表 (HTML) - ON Semiconductor

MMBD352WT1G Datasheet HTML 1Page - ON Semiconductor

MMBD352WT1G Datasheet HTML 2Page - ON Semiconductor

MMBD352WT1G Datasheet HTML 3Page - ON Semiconductor

MMBD352WT1G 产品详情

These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits.

Features

• Very Low Capacitance − Less Than 1.0 pF @ 0 V

• Low Forward Voltage − 0.5 V (Typ) @ IF = 10 mA

• AEC Qualified and PPAP Capable

• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant*

类似零件编号 - MMBD352WT1G

制造商	部件名	数据表	功能描述
ON Semiconductor	MMBD352WT1G	43Kb / 4P	Dual Schottky Barrier Diode April, 2005 ??Rev. 3

More results

类似说明 - MMBD352WT1G

制造商	部件名	数据表	功能描述
Leshan Radio Company	MMBD352WT1	48Kb / 2P	Dual Schottky Barrier Diode
Advanced Semiconductor	5082-2271	18Kb / 1P	SCHOTTKY BARRIER DUAL DIODE
	5082-2279	18Kb / 1P	SCHOTTKY BARRIER DUAL DIODE
	5082-2830	16Kb / 1P	SCHOTTKY BARRIER DUAL DIODE
ON Semiconductor	MMBD352WT1	43Kb / 4P	Dual Schottky Barrier Diode April, 2005 ??Rev. 3
Seme LAB	SB30-45MSMD	24Kb / 2P	DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE
NXP Semiconductors	1PS70SB14_15	166Kb / 9P	Dual Schottky barrier diode 17 December 2012
NXP Semiconductors	1PS70SB15_15	165Kb / 9P	Dual Schottky barrier diode 17 December 2012
Nexperia B.V. All right...	1PS70SB14	3Mb / 9P	Dual Schottky barrier diode 17 December 2012
Nexperia B.V. All right...	1PS70SB15	1Mb / 9P	Dual Schottky barrier diode 17 December 2012

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关于 ON Semiconductor

“安森美半导体家公开交易的公司，该公司设计，开发和生产各种半导体产品，用于各种应用，包括汽车，计算，消费品，工业和通信市场。
该公司成立于1999年，总部位于亚利桑那州凤凰城。
在半导体上，提供了广泛的电力管理，模拟和离散半导体的组合，包括电源MOSFET，二极管，整流器，电压调节器等。
该公司的产品旨在具有节能，可靠和成本效益，并用于多种应用，包括便携式电子产品，工业自动化系统，可再生能源系统和汽车电子产品。
在半导体上，致力于创新和客户满意度，并致力于提供最佳的半导体解决方案，以满足客户的需求。”

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