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STB13NM60N 数据表 (PDF) - STMicroelectronics
STB13NM60N Datasheet PDF - STMicroelectronics
部件名 STB13NM60N
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文件大小   1160.58 Kbytes
页   24 Pages
制造商  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
网页  http://www.st.com
标志 STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
功能描述 Low gate input resistance

STB13NM60N Datasheet (PDF)

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STB13NM60N Datasheet PDF - STMicroelectronics

部件名 STB13NM60N
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页   24 Pages
制造商  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
网页  http://www.st.com
标志 STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
功能描述 Low gate input resistance

STB13NM60N 数据表 (HTML) - STMicroelectronics


STB13NM60N 产品详情

Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance

Applications
• Switching applications




类似零件编号 - STB13NM60N

制造商部件名数据表功能描述
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Inchange Semiconductor ...		 STB13NM60ND ISC-STB13NM60ND Datasheet
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类似说明 - STB13NM60N

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关于 STMicroelectronics

Stmicroelectronics是位于瑞士日内瓦的跨国电子和半导体制造商。

该公司为汽车，工业和消费者市场的各种应用提供了广泛的产品，包括微控制器，传感器，功率放大器和集成电路。

Stmicroelectronics成立于1987年，在1​​00多个国家 /地区开展业务，是世界上最大的半导体公司之一。

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。




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