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STD110N8F6 数据表 (PDF) - STMicroelectronics
STD110N8F6 Datasheet PDF - STMicroelectronics
部件名 STD110N8F6
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文件大小   632.6 Kbytes
页   16 Pages
制造商  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
网页  http://www.st.com
标志 STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
功能描述 Very low gate charge

STD110N8F6 Datasheet (PDF)

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STD110N8F6 Datasheet PDF - STMicroelectronics

部件名 STD110N8F6
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制造商  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
网页  http://www.st.com
标志 STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
功能描述 Very low gate charge

STD110N8F6 数据表 (HTML) - STMicroelectronics


STD110N8F6 产品详情

Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all

Features
■ Very low on-resistance
■ Very low gate charge
■ High avalanche ruggedness
■ Low gate drive power loss

Applications
■ Switching applications




类似零件编号 - STD110N8F6

制造商部件名数据表功能描述
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关于 STMicroelectronics

Stmicroelectronics是位于瑞士日内瓦的跨国电子和半导体制造商。

该公司为汽车，工业和消费者市场的各种应用提供了广泛的产品，包括微控制器，传感器，功率放大器和集成电路。

Stmicroelectronics成立于1987年，在1​​00多个国家 /地区开展业务，是世界上最大的半导体公司之一。

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。




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