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STGW80H65DFB-4 数据表 (PDF) - STMicroelectronics
STGW80H65DFB-4 Datasheet PDF - STMicroelectronics
部件名 STGW80H65DFB-4
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文件大小   937.25 Kbytes
页   16 Pages
制造商  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
网页  http://www.st.com
标志 STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
功能描述 Tight parameter distribution

STGW80H65DFB-4 Datasheet (PDF)

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STGW80H65DFB-4 Datasheet PDF - STMicroelectronics

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制造商  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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标志 STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
功能描述 Tight parameter distribution

STGW80H65DFB-4 数据表 (HTML) - STMicroelectronics


STGW80H65DFB-4 产品详情

Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.




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关于 STMicroelectronics

Stmicroelectronics是位于瑞士日内瓦的跨国电子和半导体制造商。

该公司为汽车，工业和消费者市场的各种应用提供了广泛的产品，包括微控制器，传感器，功率放大器和集成电路。

Stmicroelectronics成立于1987年，在1​​00多个国家 /地区开展业务，是世界上最大的半导体公司之一。

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