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MBR3045C 数据表(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

部件名 MBR3045C
功能描述  SCHOTTKY BARRIER DIODE
PDF  9 Pages
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制造商  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
网页  http://www.hwdz.com.cn
标志 JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

MBR3045C 数据表(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
MBR3045C
版本(Rev.)：201510C
2/9
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项
目
Parameter
符 号
Symbol
数 值
Value
单
位
Unit
最大反向重复峰值电压
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
45
V
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
VDC
45
V
正向平均整流电流
Average forward
current
TC=125℃
(TO-220,TO-262,
TO-263TO-3PB)
TC=100℃
(TO-220HF)
整个器件
per device
单
侧
per diode
IF(AV)
30
15
A
正向峰值浪涌电流
Surge non repetitive
forward current
（额定负载 8.3ms 半正弦波—按 JEDEC 方法）
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
IFSM
200
A
最高结温
Maximum junction temperature
Tj
150
℃
储存温度
Storage temperature range
TSTG
-40~+150
℃
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
热特性 THERMAL CHARACTERISTICS
项
目
Parameter
符
号
Symbol
最小值
Value(min)
最大值
Value(max)
单
位
Unit
结到管壳的热阻
Thermal resistance from
junction to case
TO-220
TO-263
TO-262
TO-3PB
TO-220HF
Rth(j-c)
1.6
1.6
1.6
1.8
3.5
/W
℃
项
目
Parameter
测试条件
Tests conditions
最小值
Value(min)
典型值
Value(typ)
最大值
Value(max)
单位
Unit
Tj =25℃
50
µA
IR
Tj =125℃
VR=VRRM
30
mA
Tj =25℃
0.58
0.62
V
VF
Tj =125℃
IF=15A
0.52
0.56
V



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