数据搜索系统,热门电子元器件搜索
  Chinese  ▼
ALLDATASHEETCN.COM

X  

JS65R360FU 数据表(PDF) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

部件名 JS65R360FU
功能描述  N-CHANNEL MOSFET
PDF  8 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
制造商  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
网页  http://www.hwdz.com.cn
标志 JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JS65R360FU 数据表(HTML) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

  JS65R360FU Datasheet HTML 1Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JS65R360FU Datasheet HTML 2Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JS65R360FU Datasheet HTML 3Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JS65R360FU Datasheet HTML 4Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JS65R360FU Datasheet HTML 5Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JS65R360FU Datasheet HTML 6Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JS65R360FU Datasheet HTML 7Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JS65R360FU Datasheet HTML 8Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 4 / 8 page
background image
R
JS65R360FU
版本:201608A
4/8
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
td(on)
VDD=380V,ID=5.5A,RG=6.8Ω,
VGS=10V
(note 4,5)
-
9
-
ns
上升时间 Turn-On rise time
tr
-
4
-
ns
延迟时间 Turn-Off delay time
td(off)
-
41
66
ns
下降时间 Turn-Off Fall time
tf
-
4.6
8
ns
栅极电荷总量 Total Gate Charge
Qg
VDS =520V ,
ID=11A
VGS =10V
(note 4,5)
-
25
42
nC
栅-源电荷 Gate-Source charge
Qgs
-
6.0
-
nC
栅-漏电荷 Gate-Drain charge
Qgd
-
8.7
-
nC
栅电阻 Intrinsic gate resistance
RG
f = 1 MHz open drain
-
2.1
-
漏-源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
IS
-
-
11
A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
ISM
-
-
33
A
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
VSD
VGS=0V,
IS=11A
-
0.9 1.2
V
反向恢复时间
Reverse recovery time
trr
VGS=0V, IS=11A
dIF/dt=100A/μs
(note 4)
-
247
-
ns
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
Qrr
-
2.3
-
μC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
Parameter
Symbol
最大 Max
单 位
Unit
JS65R360FU
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction
to Case
Rth(j-c)
3.92
℃/W
结到环境的热阻
Thermal Resistance,
Junction to Ambient
Rth(j-A)
80
℃/W
注释:
1:脉冲宽度由最高结温限制
2 : Vgs=10V, VDD=50V,
RG=25 Ω, 起始结温
TJ=25℃
3 : ISD≤11A,di/dt≤300A/μs,VDD≤BVDSS, 起始结温
TJ=25℃
4:脉冲测试:脉冲宽度
≤300μs,占空比≤2%
5:基本与工作温度无关
Notes:
1:Pulse width limited by maximum junction temperature
2:Vgs=10V, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting TJ=25℃
3:ISD≤11A,di/dt≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃
4:Pulse Test:
Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2%
5:Essentially independent of operating temperature



Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8


数据表 下载

Go To PDF Page


链接网址



ALLDATASHEET是否为您带来帮助?  [ DONATE ] 

关于 Alldatasheet   |   广告服务   |   联系我们   |   隐私政策   |   数据表链接    |   链接交换   |   制造商名单
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com