2000-01-01

2

OPTO SEMICONDUCTORS

BP 103

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

T

– 40 … + 80

°C

Löttemperatur bei Tauchlötung

Lötstelle

≥ 2 mm vom Gehäuse,

Lötzeit

t

≤ 5 s

Dip soldering temperature,

≥ 2 mm distance

from case bottom

t

≤ 5 s

T

S

260

°C

Löttemperatur bei Kolbenlötung

Lötstelle

≥ 2 mm vom Gehäuse,

Lötzeit

t

≤ 3 s

Iron soldering temperature,

≥ 2 mm distance

from case bottom

t

≤ 3 s

T

S

300

°C

Kollektor-Emitterspannung

Collector-emitter voltage

V

CE

50

V

Kollektorstrom

Collector current

I

C

100

mA

Kollektorspitzenstrom,

τ < 10 µs

Collector surge current

I

CS

200

mA

Emitter-Basisspannung

Emitter-base voltage

V

EB

7V

Verlustleistung,

T

Total power dissipation

P

tot

150

mW

Wärmewiderstand

Thermal resistance

R

thJA

500

K/W