2SA1968LS datasheet(2/3 Pages) SANYO

2 / 3 page

2SA1968LS

No.5183-2/3

--1

--2

--3

--4

--5

--6

--7

--8

--9

--10

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--1.4

--1.2

IC -- VCE

IT03904

IC -- VBE(ON)

IT03906

--0.4

--0.2

--0.6

--1.0

--0.8

--2

--4

--6

--8

--10

IC -- VCE

IT03905

--4

--2

--6

--10

--8

--2

--4

--6

--8

--10

VCE= --5V

IB=0

--1.4mA

--1.0mA

--800

µA

--600

µA

--150µA

--100

µA

--50

µA

--400

µA

--200µA

--1.0

--0.1

--10

--0.1

--1.0

--10

VCE(sat) -- IC

VBE(sat) -- IC

IT03908

--1.2mA

--1.6mA

--1.8mA

--5

µA

--10

µA

--15

µA

--20

µA

--25

µA

--30

µA

--35

µA

100

--0.1

--1.0

--10

hFE -- IC

IT03907

IT03909

--1.0

--0.1

--1.0

--10

IC / IB=5

120°C

25°C

Ta= --40°C

VCE= --5V

--40

°C

Ta=120

°C

IC / IB=5

Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V

Base-to-Emitter ON Voltage, VBE(ON) -- V

Collector Current, IC -- mA

Continued from preceding page.

Ratings

Parameter

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

DC Current Gain

hFE

VCE=--5V, IC=--1mA

Gain-Bandwidth Product

VCE=--10V, IC=--1mA

MHz

Output Capacitance

Cob

VCB=--100V, f=1MHz

2.2

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

VCE(sat)

IC=--500µA, IB=--100µA

--1

Base-to-Emitter Saturation Voltage

VBE(sat)

IC=--500µA, IB=--100µA

--1.5

Collector-to-Base Breakdown Voltage

V(BR)CBO

IC=--100µA, IE=0

--900

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

V(BR)CEO

IC=--1mA, RBE=∞

--900

Emitter-to-Base Breakdown Voltage

V(BR)EBO

IE=--100µA, IC=0

--7

Transient Thermal Resistance

Rth(j-c)

junction-case

8.3

˚C / W

2SA1968LS 数据表(PDF) 2 Page - Sanyo Semicon Device

2SA1968LS 数据表(HTML) 2 Page - Sanyo Semicon Device

Html Pages

1 2 3

数据表下载

链接网址

2SA1968LS 数据表(PDF) 2 Page - Sanyo Semicon Device

2SA1968LS 数据表(HTML) 2 Page - Sanyo Semicon Device

Html Pages

1 2 3

数据表 下载

链接网址

数据表下载