TP4065 datasheet(11/14 Pages) ASIC

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南京拓微集成电路有限公司

NanJing Top Power ASIC Corp.

REV_1.2

TP4065

关断模式

Vcc<3.8V,Vcc<VBAT

电池反接

CHRG=高阻抗

预充模式

充电电流=1/5 I

BAT

CHRG=强下拉

恒流充电模式

充电电流=I

BAT

CHRG=强下拉

恒压充电模式

充电电压=4.2V

CHRG=强下拉

充电结束

无充电电流

CHRG=高阻抗

VBAT<VTRIKL

VBAT>VTRIKL

VBAT到充电截止电压

充电电流<1/10I

BAT

VBAT>VTRIKL

VBAT<VRECHRG

图 4 一个典型充电循环的状态图

稳定性与可靠性的考虑

在没有接电池时，为了防止接入

VCC 或 BAT 产生高能毛刺，强烈要求

VCC 和 BAT 端各加一个 10μF 电容器。

在恒定电流模式中，位于反馈环路

中的是 PROG 引脚，而不是电池。恒

定电流模式的稳定性受 PROG 引脚阻

抗的影响。当 PROG 引脚上没有附加

电容会减小设定电阻器的最大容许阻

值。PROG 引脚上的极点频率应保持在

CPROG，则可采用下式来计算 RPROG 的

最大电阻值：

PROG







对用户来说，他们更感兴趣的可能

是充电电流，而不是瞬态电流。例如，

如果一个运行在低电流模式的开关电

源与电池并联，则从 BAT 引脚流出的

平均电流通常比瞬态电流脉冲更加重

要。在这种场合，可在 PROG 引脚上

采用一个简单的 RC 滤波器来测量平均

的电池电流（如图 5 所示）。在 PROG

引脚和滤波电容器之间增设了一个

10K 电阻器以确保稳定性。

RPROG

GND

TP4065

10K

PROG

CHARGE

CURRENT

MONITOR

CIRCUITRY

CFILTER

图 5：隔离 PROG 引脚上的容性负载

和滤波电路

功率损耗

TP4065 因热反馈的缘故而减小充

电电流的条件可通过 IC 中的功率损耗

来估算。这种功率损耗几乎全部都是由

内部 MOSFET 产生的――这可由下式

近似求出：

()

BAT







式中的 PD 为耗散的功率，VCC 为输

入电源电压，VBAT 为电池电压，IBAT

为充电电流。当热反馈开始对 IC 提供

保护时，环境温度近似为：

135





 

135

(

)

BAT





 





不仅如此，正如工作原理部分所讨

论的那样，当热反馈使充电电流减小

时，PROG 引脚上的电压也将成比例地

减小。切记不需要在 TP4065 应用设计

中考虑最坏的热条件，这一点很重要，

因为该 IC 将在结温达到 135℃左右时

自动降低功耗。

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