HT3582 datasheet(4/6 Pages) HOTCHIP

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HT3582D

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万能充电器控制芯片

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Ver1.0

应用信息

电池检测

在电源断开的情况下接入电池，HT3582D 会通过自

动“极性识别”系统对电池进行相应控制。此时 L1

－L3 的状态参见表 5.1 的描述

电池空载

当电源连通而尚未接入电池时， BTP 与 BTN 两端之

间的电压差为 4.20V（典型值），L1－L3 的状态参见

表 5.1 的描述。

预充电功能

当电源连通并且接入电池时，如果电池 BTP 与 BTN

两端之间的电压差小于 2.3V（典型值），电源通过

HT3582D 对电池以一较小电流（25mA 典型值）进行

预充电，当电池电压升高到 2.3V 后即开始正常充电，

L1－L3 的状态参见表 5.1 的描述。

正常充电及饱和检测

电源连通并且接入未满电池（电池电压<4.10V【典

型值】),电源开始通过 HT3582D 的控制对电池进行充

电，充电电流约为 250mA（典型值），电池两端电

压缓缓升高，当电池电压升高到 4.20V（典型值）时，

电池已接近饱和，此时转入恒压小电流补充充电模式。

此过程中 L1－L3 的状态参见表 5.1 的描述。当电池

电压<4.10V（典型值），才重新对电池充电。

短路保护

若在电源接入后发生电池短路的情况，则 HT3582D

内部“短路保护”系统会自动将充电电流减小至

25mA（典型值）。此时若电池重新以正确极性接入

则仍可以正常充电。

过温保护

若充电时芯片结温超过 TO（150 ℃ 典型值），内部

“过温保护”系统会自动将充电电流减小，直到结温

下降至 TR（120℃ 典型值），IC 恢复正常充电状态。

PCB 设计指引

在设计 HT3582D PCB 时，需要遵循以下指南：

VDD 的旁路电容需要紧靠芯片 VDD 和 GND 引脚。

Vbat 的旁路电容需要紧靠芯片 Vbat 和 GND 引脚。

静电防护措施

MOS 电路为静电敏感器件，在生产、运输过程中需

采取下面的预防措施，可以有效防止 MOS 电路由于

受静电放电影响而引起的损坏：

1.操作人员要通过放静电腕带接地；

2.生产设备外壳必须接地；

3.装配过程中使用的工具必须接地；

4.必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。

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