HT3582DM datasheet(4/6 Pages) HOTCHIP

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HT3582DM

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万能充电器控制芯片

www.hotchip.com.cn

Ver1.0

应用信息

电池检测

在电源断开的情况下接入电池，HT3582DM 会通

过自动“极性识别”系统对电池进行相应控制。此

时 L1－L3 的状态参见表 5.1 的描述。

电池空载

当电源连通而尚未接入电池时， BTP 与 BTN 两

端之间的电压差为 4.23V（典型值），L1－L3 的

状态参见表 5.1 的描述。

正常充电及饱和检测

电源连通并且接入未满电池（电池电压<4.10V

【典型值】),电源开始通过 HT3582DM 的控制对电

池进行充电，充电电流约为 250mA（典型值），

电池两端电压缓缓升高，当电池电压升高到 4.23V

（典型值）时，电池已接近饱和，此时转入恒压小

电流补充充电模式。此过程中 L1－L3 的状态参见

表 5.1 的描述。当电池电压<4.10V（典型值），才

重新对电池充电。

短路保护

若在电源接入后发生电池短路的情况，则

HT3582DM 内部“短路保护”系统会自动将充电

电流减小至 25mA（典型值）。此时若电池重新以

正确极性接入则仍可以正常充电。

过温保护

若充电时芯片结温超过 TO（150 ℃ 典型值），

内部“过温保护”系统会自动将充电电流减小，直

到结温下降至 TR（120℃ 典型值），IC 恢复正常

充电状态。

PCB 设计指引

在设计 HT3582DM PCB 时，需要遵循以下指南：

VDD 的旁路电容需要紧靠芯片 VDD 和 GND 引脚。

Vbat 的旁路电容需要紧靠芯片 Vbat 和 GND 引脚。

静电防护措施

MOS 电路为静电敏感器件，在生产、运输过程中

需采取下面的预防措施，可以有效防止 MOS 电路

由于受静电放电影响而引起的损坏：

1.操作人员要通过放静电腕带接地；

2.生产设备外壳必须接地；

3.装配过程中使用的工具必须接地；

4.必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。

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