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TP1002 数据表(PDF) 8 Page - Billiton Ltd. |
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8 / 15 page ![]() 南京拓品微电子有限公司 NanJing Top Power ASIC Corp. Rev1.0 映到FB端,导致FB升高,发生过载保护。且电流的检测具有实时前沿消隐功能,屏蔽 开关尖峰,避免开关电流的错误检测,相对常规的三极管开关芯片,开关电流在一个较 宽的范围都可以非常精准。 前沿消隐(LEB) 在本电流控制环路中,当开关导通瞬间会有脉冲峰值电流,如果此时采样电流值, 会产生错误触发,前沿消隐用于消除这种错误触发。在开关导通之后,PWM比较器的 输出要经过一个前沿消隐时间才能去控制输出,这样就可以防止错误触发。即在图6中, 在开关管开启后经过前沿消隐(LEB)时间,PWM比较器才能影响输出。不发生其他 异常的条件下,电路一旦开启,就会有一个最小的输出脉冲宽度,该宽度就是前沿消隐 (LEB)时间,TP1002前沿消隐时间为300ns。在此消隐期间,电流采样比较器不工作, 驱动不会关闭。 三极管基极 驱动信号 三极管上 的电流 电感毛刺 占空比较大时 占空比较小时 三极管基极 驱动信号 三极管上 的电流 电感毛刺 t t LEB LEB LEB 图6 前沿消隐示意图 典型应用电路 5V/2.5A 电源适配器方案:TP1002-SOT23-5 封装、TP1550 与光耦 系统特性: 5V2.5A 方案搭配 TP1550 恒压恒流控制芯片,其外围电路简单,如图 7 所示,系统 成本较低,且恒压恒流控制精度高(恒压精度:±2%,恒流精度:±5%。采用 431 时 恒压精度为±3%,且在分压电阻以及 431 均为±1%的精度时),大负载时,瞬态响应 快,跌落<270mV(TP1550 结成恒压状态下)。 此方案 C7 采用 1000μF*2 电容,输出 5V2.5A 时,输出纹波小于 100mV。 |
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