TP5602 datasheet(6/22 Pages) ASIC

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南京拓微集成电路有限公司

NanJing Top Power ASIC Corp.

REV_2.1

电特性

表1 TP5602电特性能参数

凡表注

●表示该指标适合整个工作温度范围，图 1 典型电路，否则仅指T

A=25℃，VIO=5V，

除非特别注明。Ron_nmos1=15mΩ，Ron_pmos1=60mΩ。

符号

参数

条件

最小值典型值最大值

单位

降压充电部分

VIN

输入电源电压

●

4.2

7.0

VIN

输入电源电流(无灯)

充电模式，R

Sb=0.1Ω

待机模式（VB=4.25）

停机模式（ V

in<VBAT ；或

Vin<VUV）

●

240

550

750

μA

VFLOAT

充电截止电压

Rsb=0.1Ω

4.2V 锂离子电池

4.160

4.2

4.250

Vsb

恒流设置电压基准精度

Rsb=0.1Ω

BAT

BAT 引脚电流：

(电流模式测试条件是

电池=3.8V)

RS=0.1Ω，恒流模式

RS=8.2mΩ，恒流模式

待机模式，V

BAT=4.25V

VIN=0V，VBAT=4.25V

●

250

-6

-10

TRIKL

涓流预充电电流

1.2V<VBAT<VTRIKL，

RS=8.2mΩ

●

600

Fdn

振荡频率

600

700

800

KHz

DMAX

最大占空比

100%

DMIN

最小占空比

VTRIKL

涓流充电门限电压（4.2V）

RS=0.1Ω，VBAT上升

2.8

2.9

3.0

VTRHYS

涓流充电迟滞电压

RS=0.1Ω

100

VUV

VIN欠压闭锁门限

从V

IN低至高

●

3.7

3.8

4.0

VUVHYS

VIN欠压闭锁迟滞

●

150

200

300

VADPT

VIN自适应启动电压

VIN从高到低

4.15

4.25

4.35

IBTERM

ISET/5 终止电流门限

RS=0.1Ω

●

VLED

LED1-4 引脚输出驱动

ILED=2mA

2.5

4.0

ΔV

RECHRG

再充电电池门限电压

VFLOAT-VRECHRG

100

120

150

TLIM

芯片保护温度

145

℃

RONP2

功率 PMOS2 导通电阻

mΩ

ILMTp

功率 PMOS2 逐周期限流

0.25V/Ronp2

tRECHARGE

再充电比较器滤波时间

VBAT高至低

300

500

700

tTERM

终止比较器滤波时间

IBAT降至C

/5 以下

1.8

2.5

TP5602 数据表(PDF) 6 Page - Billiton Ltd.

TP5602 数据表(HTML) 6 Page - Billiton Ltd.

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