TP8563D

PWM 调光的非隔离降压 LED 恒流驱动芯片

V1.0

Shenzhen TPOWER Semiconductor

3

极限参数（注 1）

参数

额定值

单位

VCC 到 GND 电压

-0.3~+20

V

DRN 到 GND 电压

-0.3~+500

V

CS, OVP, PWM 到 GND 电压

-0.3~+6

V

VCC 引脚电源电流

5

mA

功率损耗

1

W

储存环境温度

-50~+150

℃

工作结温范围

-40~+150

℃

ESD 水平(HBM)

2000

V

ESD 水平(MM)

200

V

推荐工作范围

参数

符号

工作条件

推荐值

单位

输出功率

<24

W

最小 LED 输出电压

正常工作

>30

V

注 1: 最大极限值是指超出该工作范围芯片可能会损坏。推荐工作范围是指在该范围内芯片工作正常，但不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在

工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电气参数规范。对于未给定的上下限参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映

了器件性能。

电气参数

(无特殊说明，Ta=25℃，VCC=18V)

符号

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

电源启动

VCC 启动电压

17

V

VCC 欠压锁定

9.3

V

VCC 钳位电压

18.8

V

VCC 启动电流

200

μA

VCC 工作电流

165

μA

电流控制

电感峰值电流检测阈值

388

400

412

mV

电流检测前沿消隐时间

350

ns

芯片关断延时

200

ns

定时控制

最大导通时间

60

μs

最小关断时间

3.5

μs

最大关断时间

240

μs

OVP 引脚电压

0.5

V

PWM 调光

PWM 引脚输入高电平阈值

1.8

V

PWM 引脚输入低电平阈值

0.7

V

PWM 引脚上拉电流

2

μA

功率管

功率管导通电阻

5

Ω

功率管击穿电压

500

V

功率管漏电流

1

μA

智能温控

输出电流智能温控开始温度

150

℃