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EMF44P02JS 数据表(PDF) 3 Page - Excelliance MOS Corp.

部件名 EMF44P02JS
功能描述  P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
PDF  5 Pages
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制造商  EXCELLIANCE [Excelliance MOS Corp.]
网页  http://www.excelliancemos.com/
标志 EXCELLIANCE - Excelliance MOS Corp.

EMF44P02JS 数据表(HTML) 3 Page - Excelliance MOS Corp.

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2015/11/3 
p.3 
EMF44P02JS
Normalized on‐Resistance v.s. Junction Temperature
T   ‐ Junction Temperature (°C)
50
1.2
0.6
‐50
0.8
1.0
J
‐25
0
25
D
I   = ‐4A
V     = ‐4.5V
1.4
1.6
1.8
GS
150
100
75
125
DS
V     = ‐ 5V
Q   ‐ Gate Charge( nC )
0
0
1
2
g
4
8
I   = ‐ 4A
3
4
5
D
16
12
20
‐ 10V
Gate Charge Characteristics
Body Diode Forward Voltage Variation with
Source Current and Temperature
T   = 125°C
‐V   ‐ Body Diode Forward Voltage(V)
0.6
0.0001
0
0.001
0.01
SD
0.2
0.4
25°C
V    = 0V
0.1
1
10
GS
A
0.8
1.0
‐55°C
1.2
‐ V   , Drain‐Source Voltage( V )
Capacitance Characteristics
450
0
0
150
300
Crss
DS
5
Coss
600
750
900
10
15
20
Ciss
f =1MHz
VGS=0 V
T   = 25°C
‐ V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )
5
0.04
0
0
0.02
0.06
1
2
GS
3
4
A
0.12
0.08
0.10
0.14
A
T   = 125°C
7
68
9
10
I   = ‐ 2A
D
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
‐V   ‐ Drain‐Source Voltage( V )
0
0
4
0.5
DS
16
8
12
‐3.0V
‐2.5V
1.0
1.5
2.0
‐4.0V
‐3.5V
V   = ‐4.5 V
GS
Typical output characteristics
‐1.8V
2.5
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 



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