LP35115

高性能副边同步整流驱动芯片

LP35115_CN_DS_Rev.0.99

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VCC 供电技术

反激系统：

情况 1（典型应用）： MOS 管，Ciss 必须≤6nF

时，通过 D 脚给 VCC 供电。如图 5、图 6

GND

VCC

DRV

D

DRAIN

GND

VCC

DRV

D

DRAIN

图 5 输出上端

图 6 输出下端

此种方式供电，芯片的带载能力 30W~60W。

情况 2：Ciss＞6nF 时， VCC 可外加 CVF 电路加

强供电，如图 7、图 8

GND

VCC

DRV

D

DRAIN

D1

D2

C1

GND

VCC

DRV

D

D1

D2

C1

DRAIN

图 7 输出上端

图 8 输出下端

C1：

取值 MOS 管 Ciss 的 1/10，C1 可以适当调整，

尽量使 VCC 工作于 6.3V~6.4V；D1、D2：用 1N4148。

此种方式供电，芯片的带载能力 60W~120W。

正激系统：

情况 1（典型应用）：MOS 管 Ciss 必须≤6nF，通

过 D 脚给 VCC 供电，如图 9

GND

VCC

DRV

D

DRAIN

图 9

此种方式供电，芯片的带载能力 30W~60W。

情况 2：Ciss＞6nF 时， VCC 可外加 CVF 电路加

强 VCC 供电，如图 10

GND

VCC

DRV

D

DRAIN

C1

D1

D2

图 10

C1：

取值 MOS 管 Ciss 的 1/10，C1 可以适当调整，

尽量使 VCC 工作于 6.3V~6.4V；D1、D2：用 1N4148。

此种方式供电，芯片的带载能力 60W~120W。

备注：

电压越低，频率越小（建议频率小于 66KHz）

，芯

片的温升效果越好，即带载能力越强