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HM1621 数据表(PDF) 9 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
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HM1621 数据表(HTML) 9 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
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9 / 11 page ![]() ) D 1 ( D fL V I OUT L − = Δ 电容 输入电容 CIN需要一个具备大的RMS*电流的电容。以避免在输入端发生大的电压瞬变。 一个 1μF到4.7μF的输入电容是合适的。输出电容COUT主要影响输出纹波,一个1μF到10μF 的输出电容是合适的。 ESR 2 I D 1 I V L O OUT ⋅ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ Δ + − = Δ 更小的 ESR可以获得更小的输出电压纹波。 输入输出电容都建议采用低 ESR的X5R和X7R的陶瓷电容,在高温环境下一定要选取X7R 电容。输入电容耐压值要大于输入电压,输出电容耐压值要达到 OVP设定值,无OVP应用中 要超过正常工作时的输出电压值。 二极管 建议采用一个肖特基二极管,其过电流能力要超过引起输出纹波公式中括号里的电流值。 其耐压能力要超过 OVP设定值,在无OVP应用中要超过正常工作时的输出电压。 输出电压设定 外部分压电阻设定输出电压, R1为VFB到GND间的电阻,R2为VOUT到VFB之间的电阻。 太小的电阻会增大流经分压电阻的电流,降低轻负载时的效率;太大的电阻会导致 FB节点受 带 SW节点的干扰而使系统不稳定。通常它们的阻值取kΩ级。 VOUT=1.21(1+R2/R1) 最大输出功率速算 在选择合适的外围器件情况下。最大输出功率 =0.7A×输入电压。 电流损耗 在 HM1621电路中,电流损耗来源于三个主要因素:静态电流,开关管驱动电流和开关管 的 I2R损耗。在低负载情况下,效率损失主要是由静态电流和开关管驱动电流产生;而在中高 负载情况下,效率损失主要由 I2R损耗造成。 过压保护控制 过压保护 OVP 能保护输出不出现过高的电压,OVP 引脚电压一旦达到 25v,系统即关闭。 通过在 OVP 引脚和输出电容串接电阻,可调节输出电压 VOUT 的保护电压值,接 300k 电阻 对应 VOUT 过压保护电压为 40V(由于 SW 端耐压为 45V,禁止保护电压超过 42V),每 100k 电阻对应 5V 电压。见如下具体描述: 表 1 OVP 电阻设置 Rovp(Ω) 悬空( NC) 0k 100k 200k 300k OVP Point(V) 无 OVP 功能 25 30 35 40 HM1621 |
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